[實用新型]太陽能電池

有效

• 申請號: 202022763982.3
• 申請日: 2020-11-25
• 公開（公告）號: CN214043687U
• 公開（公告）日: 2021-08-24
• 發明（設計）人: 李兵;楊慧;劉娜;鄧偉偉;蔣方丹
• 申請（專利權）人: 嘉興阿特斯光伏技術有限公司
• 主分類號: H01L31/042
• 分類號: H01L31/042;H01L31/0216;H01L31/0224
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235
• 代理人: 胡彭年

本申請提供一種太陽能電池，包括硅基底，所述硅基底具有相鄰的第一部分與第二部分，所述第一部分的正面依次層疊設置有隧穿層與摻雜多晶硅層，所述第二部分的正面形成有摻雜層，所述太陽能電池還包括設置在所述硅基底正面且與所述摻雜多晶硅層相接觸的正面電極；所述硅基底的背面依次層疊設置有本征非晶硅層、摻雜非晶層與透明導電層。本申請太陽能電池能夠改善電池表面的鈍化性能，減小正面電極位置的復合損失與接觸電阻，同時減小入射光線的吸收損失，所述摻雜非晶層也能避免背面高溫摻雜制程，減少高溫可能導致的缺陷，提高電池壽命。

技術領域

本申請涉及太陽能發電技術領域，特別涉及一種太陽能電池。

背景技術

隨著光伏產業的迅速發展，國內外市場對于太陽能電池與光伏組件的效率需求也不斷增長，這也促使各大廠商積極進行高效電池的開發與研究。就晶硅電池而言，通過電池結構及相關工藝的創新，提高電池性能與轉換效率是業內持續關注的重點課題。

業內有觀點認為，TOPCon電池與HJT電池是晶體硅太陽能電池在后PERC時代的主要技術發展路徑。TOPCon(Tunnel Oxide Passivated Contact)電池是在電池背面制備超薄的隧穿氧化層和摻雜多晶硅層，共同形成了鈍化接觸結構，可以極大地降低背面的表面復合和金屬復合，進而大幅度的提升電池的開路電壓Voc和轉換效率。異質結(Heterojunction，HJT)電池主要是在n型硅片的正/背面沉積本征α-Si:H層后分別沉積p型α-Si:H層和n型α-Si:H層，再進行金屬化，其具有高轉換效率、低光衰、低溫度系數等優勢。其中，異質結電池表面的膜層結構吸光相對較為嚴重，影響入射光線的有效吸收；TOPCon電池的隧穿層與摻雜多晶硅層多設置在電池背面，正面電極位置的復合損失及接觸電阻較大，而將上述摻雜多晶硅層用作正面鈍化時，其吸光作用同樣也會影響入射光線的吸收與轉換，導致電池短路電流降低。

鑒于此，有必要提供一種新的太陽能電池。

發明內容

本申請目的在于提供一種太陽能電池，能改善表面鈍化性能，降低吸光損失，并能減少電池缺陷，保證電池使用壽命。

為實現上述目的，本申請提供一種太陽能電池，包括硅基底，所述硅基底具有相鄰的第一部分與第二部分，所述第一部分的正面依次層疊設置有隧穿層與摻雜多晶硅層，所述第二部分的正面形成有摻雜層，所述太陽能電池還包括設置在所述硅基底正面且與所述摻雜多晶硅層相接觸的正面電極；所述硅基底的背面依次層疊設置有本征非晶硅層、摻雜非晶層與透明導電層。

作為本申請的進一步改進，所述正面電極不超出所述摻雜多晶硅層。

作為本申請的進一步改進，所述隧穿層設置為氧化硅膜或氮氧化硅膜，所述隧穿層的厚度設置為0.5～3nm；所述摻雜多晶硅層的厚度設置為60～200nm。

作為本申請的進一步改進，所述太陽能電池還包括設置在所述摻雜多晶硅層及摻雜層上的減反射層，所述正面電極穿過所述減反射層并與所述摻雜多晶硅層相接觸；所述減反射層包括層疊設置的第一減反射層與第二減反射層，所述第一減反射層設置為富氫氮化硅膜，且所述第一減反射層的厚度設置為3～30nm，折射率2.1～2.4；所述第二減反射層設置為氮化硅膜或氮氧化硅膜或氧化硅膜或由其中至少兩種構成的復合膜。

作為本申請的進一步改進，所述本征非晶硅層的厚度設置為5～10nm。

作為本申請的進一步改進，所述本征非晶硅層包括第一本征非晶硅層與層疊設置在所述第一本征非晶硅層背離所述硅基底一側表面上的第二本征非晶硅層，所述第二本征非晶硅層的氫含量大于所述第一本征非晶硅層的氫含量。

作為本申請的進一步改進，所述第一本征非晶硅層的厚度設置為1～3nm，折射率設置為4～4.3；所述第二本征非晶硅層的厚度設置為3～8nm，折射率設置為3.8～4.1。