[實用新型]太陽能電池

有效

• 申請號: 202022763982.3
• 申請日: 2020-11-25
• 公開（公告）號: CN214043687U
• 公開（公告）日: 2021-08-24
• 發明（設計）人: 李兵;楊慧;劉娜;鄧偉偉;蔣方丹
• 申請（專利權）人: 嘉興阿特斯光伏技術有限公司
• 主分類號: H01L31/042
• 分類號: H01L31/042;H01L31/0216;H01L31/0224
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235
• 代理人: 胡彭年

1.一種太陽能電池，包括硅基底，所述硅基底具有相鄰的第一部分與第二部分，其特征在于：所述第一部分的正面依次層疊設置有隧穿層與摻雜多晶硅層，所述第二部分的正面形成有摻雜層，所述太陽能電池還包括設置在所述硅基底正面且與所述摻雜多晶硅層相接觸的正面電極；所述硅基底的背面依次層疊設置有本征非晶硅層、摻雜非晶層與透明導電層。

2.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于：所述正面電極不超出所述摻雜多晶硅層。

3.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于：所述隧穿層設置為氧化硅膜或氮氧化硅膜，所述隧穿層的厚度設置為0.5～3nm；所述摻雜多晶硅層的厚度設置為60～200nm。

4.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于：所述太陽能電池還包括設置在所述摻雜多晶硅層及摻雜層上的減反射層，所述正面電極穿過所述減反射層并與所述摻雜多晶硅層相接觸；所述減反射層包括層疊設置的第一減反射層與第二減反射層，所述第一減反射層設置為富氫氮化硅膜，且所述第一減反射層的厚度設置為3～30nm，折射率2.1～2.4；所述第二減反射層設置為氮化硅膜或氮氧化硅膜或氧化硅膜或由其中至少兩種構成的復合膜。

5.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于：所述本征非晶硅層的厚度設置為5～10nm。

6.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于：所述本征非晶硅層包括第一本征非晶硅層與層疊設置在所述第一本征非晶硅層背離所述硅基底一側表面上的第二本征非晶硅層；所述第一本征非晶硅層的厚度設置為1～3nm，折射率設置為4～4.3；所述第二本征非晶硅層的厚度設置為3～8nm，折射率設置為3.8～4.1。

7.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于：所述摻雜非晶層的厚度設置為5～10nm。

8.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于：所述透明導電層的厚度設置為70～120nm。

9.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于：所述硅基底為N型硅片；所述摻雜層與摻雜多晶硅層的摻雜類型相一致且兩者的摻雜元素均為磷；所述摻雜非晶層為硼摻雜非晶層。