[實用新型]一種低靜態功耗抗單粒子翻轉的靜態隨機存取存儲器有效
| 申請號： | 202022702053.1 | 申請日： | 2020-11-20 |
| 公開（公告）號： | CN213303651U | 公開（公告）日： | 2021-05-28 |
| 發明（設計）人： | 楊霆;齊春華 | 申請（專利權）人： | 楊霆 |
| 主分類號： | G11C11/413 | 分類號： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 哈爾濱市松花江專利商標事務所 23109 | 代理人： | 高倩 |
| 地址： | 150026 黑龍*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 靜態 功耗 粒子 翻轉 隨機存取存儲器 | ||
1.一種低靜態功耗抗單粒子翻轉的靜態隨機存取存儲器，其特征在于，包括PMOS晶體管P1～P4和NMOS晶體管N1～N8；
PMOS管P3的柵極、NMOS晶體管N3的柵極、NMOS晶體管N7的漏極、NMOS晶體管N8的柵極、NMOS晶體管N6的漏極和NMOS晶體管N2的源極同時連接，連接節點為QN；
PMOS管P4的柵極、NMOS管N8的漏極、NMOS晶體管N4的柵極、NMOS晶體管N7的柵極、NMOS晶體管N5的漏極和NMOS晶體管N1的源極同時連接,連接節點為Q；
PMOS管P3的漏極與PMOS管P1的源極連接，PMOS管P4的漏極與PMOS管P2的源極連接；
PMOS管P3的源極、PMOS管P4的源極、NMOS晶體管N1的漏極、NMOS晶體管N2的漏極與電源的正極同時連接；
PMOS管P1的柵極、PMOS管P2的漏極、NMOS管N2的柵極和NMOS晶體管N4的漏極同時連接,連接節點為S1；
PMOS管P2的柵極、PMOS管P1的漏極、NMOS管N1的柵極和NMOS晶體管N3的漏極同時連接,連接節點為S0；
NMOS晶體管N3的源極、NMOS晶體管N4的源極、NMOS晶體管N7的源極和NMOS晶體管N8的源極與電源的負極同時連接；
NMOS晶體管N5的柵極與NMOS晶體管N6的柵極連接字線WL；
NMOS晶體管N5的源極連接位線BL，NMOS晶體管N6的源極連接位線BLN。
2.根據權利要求1所述的低靜態功耗抗單粒子翻轉的靜態隨機存取存儲器，其特征在于，版圖加固時PMOS管P1和PMOS管P3通過淺溝槽隔離技術進行隔離，版圖加固時PMOS管P2和PMOS管P4通過淺溝槽隔離技術進行隔離。
3.根據權利要求1所述的低靜態功耗抗單粒子翻轉的靜態隨機存取存儲器，其特征在于，版圖加固時節點Q和節點S0之間插入了P阱接觸，節點QN和節點S1之間插入了P阱接觸。
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