[實用新型]一種高密度二十引腳集成電路引線框架

有效

• 申請號: 202022677974.7
• 申請日: 2020-11-18
• 公開（公告）號: CN213692037U
• 公開（公告）日: 2021-07-13
• 發明（設計）人: 潘龍慧;馮軍民;江煥輝
• 申請（專利權）人: 寧波德洲精密電子有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495
• 代理公司: 寧波奧圣專利代理有限公司 33226
• 代理人: 陳怡菁

1.一種高密度二十引腳集成電路引線框架，包括框架基板和多列縱向分布的引線框架組，多列所述的引線框架組之間間隔設置并通過縱向筋連接，其特征在于，每列所述的引線框架組內排布有12×2個引線框架單元，所述的引線框架單元包括基島和分布在所述的基島外側的二十個引腳，所述的引腳的寬度范圍在0.16-0.4mm。

2.根據權利要求1所述的一種高密度二十引腳集成電路引線框架，其特征在于，所述的引腳按順時針方向依次劃分為四個第一引腳、六個第二引腳、四個第三引腳和六個第四引腳，所述的第一引腳和所述的第三引腳在所述的基島的上下兩側相對設置，所述的第二引腳和所述的第四引腳在所述的基島的左右兩側相對設置，每個所述的引腳的內端部均設置有焊點，每個所述的引腳的外端向所述的基島的上下兩側延伸，所述的第二引腳和所述的第四引腳的焊點的連接線與豎直方向呈15°夾角，同一側十個所述的引腳的外端部之間通過橫筋連接。

3.根據權利要求2所述的一種高密度二十引腳集成電路引線框架，其特征在于，每個所述的引腳的外端部具有相同的寬度，寬度為0.194±0.025mm，相鄰所述的引腳的外端部之間的間距為1.0008±0.025mm。

4.根據權利要求3所述的一種高密度二十引腳集成電路引線框架，其特征在于，所述的引腳的外端部在同一水平線的上下表面均開設有預切槽。

5.根據權利要求4所述的一種高密度二十引腳集成電路引線框架，其特征在于，所述的預切槽包括第一預切槽、第二預切槽和第三預切槽，所述的第一預切槽和所述的第三預切槽設置在所述的引腳的下表面，所述的第二預切槽設置在所述的引腳的上表面且位于所述的第一預切槽和所述的第三預切槽之間，所述的第一預切槽、所述的第二預切槽和所述的第三預切槽的橫截面均為三角形，開口大小相同，開口深度相同，開口的角度范圍在55°-65°，開口深度為0.010-0.038mm，相鄰預切槽之間的間距為0.050-0.052mm。

6.根據權利要求2所述的一種高密度二十引腳集成電路引線框架，其特征在于，上下相鄰的所述的引線框架單元之間通過引腳延伸部連接，所述的引腳延伸部的一端連接所述的引腳，另一端連接所述的橫筋，其中連接上方所述的引線框架單元的稱為第一引腳延伸部，連接下方所述的引線框架單元的稱為第二引腳延伸部，所述的第一引腳延伸部與所述的第二引腳延伸部交錯排列，所述的第一引腳延伸部與所述的第二引腳延伸部之間的間距相等且為0.4058±0.025mm，每個所述的第一引腳延伸部與所述的第二引腳延伸部的重復單元的寬度為1.0008±0.025mm。

7.根據權利要求1所述的一種高密度二十引腳集成電路引線框架，其特征在于，同一列所述的引線框架組內水平放置的兩個基島之間、所述的基島與所述的縱向筋之間連接有基島連接筋，所述的基島向下凹陷，使所述的基島與所述的引腳之間的深度差為0.203±0.051mm，所述的基島的厚度為0.203±0.008mm，所述的基島連接筋與所述的基島的連接部呈30°斜坡, 在所述的基島連接筋的下表面且靠近所述的縱向筋的位置設置有縱向預切口，所述的縱向預切口的橫截面形狀為三角形，開口的角度范圍在55°-65°。

8.根據權利要求1所述的一種高密度二十引腳集成電路引線框架，其特征在于，上下相鄰的所述的引線框架單元之間的中心距為6.05～6.15mm，同一列所述的引線框架組內左右相鄰的引線框架單元之間的中心距為11.45～11.55mm。

9.根據權利要求1所述的一種高密度二十引腳集成電路引線框架，其特征在于，每個所述的縱向筋上分別開設有多個用于釋放注膠時應力的通孔。

10.根據權利要求1所述的一種高密度二十引腳集成電路引線框架，其特征在于，所述的框架基板的上下兩邊分別開設有多個圓形或橢圓形定位孔。