[實用新型]晶舟結構

有效

• 申請號: 202022664501.3
• 申請日: 2020-11-17
• 公開（公告）號: CN213519900U
• 公開（公告）日: 2021-06-22
• 發明（設計）人: 林博文
• 申請（專利權）人: 凱樂士股份有限公司
• 主分類號: H01L21/673
• 分類號: H01L21/673
• 代理公司: 北京申翔知識產權代理有限公司 11214
• 代理人: 趙夢雯;艾晶

本實用新型揭露一種晶舟結構，適用于承載晶圓。包括無壓燒結碳化硅支撐裝置具有復數個支撐部，其間隔連接于無壓燒結碳化硅底座，且此些支撐部與無壓燒結碳化硅底座之間具有一容置空間，以供容置晶圓。復數個無壓燒結碳化硅凸肋間隔設置于每一支撐部上，位于每一支撐部上的此些無壓燒結碳化硅凸肋的位置彼此水平對應設置，使晶圓的周緣嵌合于相鄰的無壓燒結碳化硅凸肋之間。整體組件借由無壓燒結碳化硅所制成，具有耐高溫、抗腐蝕性和抗HF酸的優點，且因無需于材料表面鍍CVD?SiC薄膜，避免在應用制程中因CVD薄膜剝落而形成的細微粒(particle)問題。

技術領域

本實用新型是有關于一種晶舟結構，特別是有關于一種整體所有組成構件都是使用無壓燒結碳化硅所制成的晶舟結構。

背景技術

目前石墨晶舟的制造方法是在石墨晶舟表面用化學氣相沉積方式(CVD)涂覆一層碳化硅層，然而石墨體和碳化硅層之間的熱膨脹系數不匹配，在制成過程中，碳化硅層在幾次的升降溫度使用后容易產生剝落現象，尤其在自動化運輸過程中的碰撞，碳化硅層剝落后會將石墨體曝露在環境中，不僅會讓腐蝕性氣體或液體進入多孔性的石墨體而產生破壞，進而導致高溫制程中產生細微粒(particle)的問題。

續就再結晶的晶舟，先將各部件預先成形、燒結、加工，接著將各部件于高溫下以硅膏接合成晶舟，最后再利用CVD涂覆一層碳化硅層。然而再結晶的晶舟存在幾個缺點:第一，各部件結合處的硅膏無法承受高溫；第二，碳化硅層在幾次的升降溫度使用后容易產生剝落現象，進而產生細微粒問題。

為因應如上所述制程所產生的問題，業者提出一種反應燒結碳化硅的方式制作晶舟，無須經過CVD涂覆一層碳化硅層的制程。但是反應燒結碳化硅又稱滲硅燒結碳化硅，是指多孔質碳化硅生坯中將氣相或液相的硅滲入反應，提高碳化硅坯體質量，減少氣孔，并以一定的強度和尺寸精度燒結成品，因此反應燒結碳化硅具有非常堅硬的特性，不容易加工，導致制造成本極高。再者，反應燒結碳化硅含有10-15%的游離硅成分，無法承受高溫，且使用后因酸洗過程容易被HF酸蝕刻而產生毛孔，藏存于毛孔中細微粒在制程中極易引起細微粒問題。因此，如何提升晶舟制作的便利性、降低成本、解決細微粒掉落以及避免后續應用制程中引起細微粒是亟待解決的問題。

實用新型內容

有鑒于上述習知技藝的問題，本實用新型所解決的技術問題就是提供一種無壓燒結碳化硅所制成的晶舟結構，具有耐高溫、抗腐蝕性和抗HF酸的優點，且可避免在應用制程中因CVD薄膜剝落而產生的細微粒問題。

本實用新型所采用的技術手段如下所述。

根據本實用新型的目的，提出一種晶舟結構，適用于承載至少一晶圓，晶舟結構包括一無壓燒結碳化硅底座、一無壓燒結碳化硅支撐裝置以及復數個無壓燒結碳化硅凸肋。無壓燒結碳化硅支撐裝置具有復數個支撐部，復數個支撐部間隔連接于無壓燒結碳化硅底座，且此些支撐部與無壓燒結碳化硅底座之間具有一容置空間，以供容置晶圓。無壓燒結碳化硅凸肋間隔設置于每一支撐部上，位于每一支撐部上的此些無壓燒結碳化硅凸肋的位置彼此水平對應設置，使晶圓的周緣嵌合于相鄰的無壓燒結碳化硅凸肋之間。

依據上述技術特征，其中該無壓燒結碳化硅底座、該無壓燒結碳化硅支撐裝置與該些無壓燒結碳化硅凸肋一體成型。

依據上述技術特征，其中該相鄰的該無壓燒結碳化硅凸肋之間具有一嵌合部。

依據上述技術特征，其中該無壓燒結碳化硅底座具有一上底座與一下底座，該上底座與該下底座為相對應設置，此些支撐部垂直間隔環繞連接于該上底座與該下底座之間，以形成一立式晶舟結構，使該上底座、該下底座與該些支撐部之間具有該容置空間。

依據上述技術特征，其中相對位置的該些支撐部上更設置有至少一固定部。