[實用新型]MEMS傳感器的外部封裝結構、MEMS傳感器及電子設備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202022605003.1 | 申請日： | 2020-11-11 |
| 公開（公告）號： | CN213679811U | 公開（公告）日： | 2021-07-13 |
| 發(fā)明（設計）人： | 于永革;孟凡亮;潘珊珊;趙文慧 | 申請（專利權）人： | 歌爾微電子有限公司 |
| 主分類號： | B81B7/00 | 分類號： | B81B7/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 深圳市世紀恒程知識產(chǎn)權代理事務所 44287 | 代理人： | 梁馨怡 |
| 地址： | 266100 山東省*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | mems 傳感器 外部 封裝 結構 電子設備 | ||
1.一種MEMS傳感器的外部封裝結構，所述外部封裝結構包括電路板和罩設于所述電路板一板面的罩殼，其特征在于，所述電路板包括：
基材層；
焊盤，所述焊盤設于所述基材層的表面；以及
覆蓋層，所述覆蓋層設于所述基材層的設有所述焊盤的表面，所述覆蓋層開設有顯露窗口，所述顯露窗口具有相對設置的第一搭接側邊和第二搭接側邊，所述第一搭接側邊和所述第二搭接側邊均壓置于所述焊盤的背對所述基材層的表面，且分別位于所述焊盤的兩側，以使部分所述焊盤由所述顯露窗口顯露。
2.如權利要求1所述的外部封裝結構，其特征在于，定義所述焊盤的被所述第一搭接側邊壓置的側邊的寬度為D1，則滿足條件：D1≥50μm；
定義所述焊盤的被所述第二搭接側邊壓置的側邊的寬度為D2，則滿足條件：D2≥50μm。
3.如權利要求1所述的外部封裝結構，其特征在于，所述顯露窗口呈長條形設置，所述第一搭接側邊和所述第二搭接側邊均沿所述顯露窗口的長度方向延伸設置，所述焊盤設有若干，若干所述焊盤沿所述顯露窗口的長度方向依次間隔設置。
4.如權利要求3所述的外部封裝結構，其特征在于，所述顯露窗口還具有相對設置的第一避讓側邊和第二避讓側邊，所述第一避讓側邊和第二避讓側邊均夾設在所述第一搭接側邊與所述第二搭接側邊之間，若干所述焊盤位于所述第一避讓側邊與第二避讓側邊之間；
所述第一避讓側邊與距離其最近的焊盤間隔設置，所述第二避讓側邊與距離其最近的焊盤間隔設置。
5.如權利要求4所述的外部封裝結構，其特征在于，定義所述第一避讓側邊與距離其最近的焊盤之間的最小距離為S1，則滿足條件：S1≥20μm；
定義所述第二避讓側邊與距離其最近的焊盤之間的最小距離為S2，則滿足條件：S2≥20μm。
6.如權利要求1所述的外部封裝結構，其特征在于，所述焊盤的由所述顯露窗口顯露的表面呈矩形。
7.如權利要求1至6中任一項所述的外部封裝結構，其特征在于，所述覆蓋層為阻焊油墨層。
8.一種MEMS傳感器，其特征在于，包括：
如權利要求1至7中任一項所述的外部封裝結構，所述外部封裝結構還開設有連通所述外部封裝結構內(nèi)部空間和外界的入聲孔；
MEMS芯片，所述MEMS芯片設于所述外部封裝結構內(nèi)，并與所述入聲孔連通設置；以及
ASIC芯片，所述ASIC芯片設于所述外部封裝結構內(nèi)，并與所述MEMS芯片間隔設置，且通過引線與所述焊盤電性連接。
9.如權利要求8所述的MEMS傳感器，其特征在于，所述MEMS芯片和ASIC芯片均設置在所述外部封裝結構的電路板上，所述焊盤位于所述ASIC芯片的背離所述MEMS芯片的一側。
10.一種電子設備，其特征在于，包括如權利要求9所述的MEMS傳感器。
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