[實用新型]一種基于諧振式高溫陶瓷過渡電路

有效

• 申請號: 202022580368.3
• 申請日: 2020-11-10
• 公開（公告）號: CN213692296U
• 公開（公告）日: 2021-07-13
• 發明（設計）人: 李涼海;趙明;趙計勇;祝大龍;劉德喜;于勇;崔潔;鄭洋;尹蒙蒙
• 申請（專利權）人: 北京遙測技術研究所;航天長征火箭技術有限公司
• 主分類號: H01P1/203
• 分類號: H01P1/203
• 代理公司: 北京巨弘知識產權代理事務所(普通合伙) 11673
• 代理人: 趙洋

本實用新型提供一種基于諧振式高溫陶瓷過渡電路，包括射頻傳輸線，上部陶瓷基材，第一金屬層，下部陶瓷基材和第二金屬層；射頻傳輸線包括依次連接的第一微帶線、諧振式帶狀線、第二微帶線和設置在諧振式帶狀線兩側的扇形印諧振制圖形，上部陶瓷基材、下部陶瓷基材均設置兩層，射頻傳輸線、上部陶瓷基材、第一金屬層、下部陶瓷基材和第二金屬層在相同位置上設置電磁泄露用通孔。本實用新型是為了解決現有高溫陶瓷電路氣密性過渡結構插損大的問題，提供一種基于高溫陶瓷的射頻過渡結構，過渡形式為微帶線?諧振帶狀線?微帶線。此種過渡結構采用諧振式過渡形式，在Ka頻段可保證低插損特性，同時滿足電路對過渡結構的氣密性要求。

技術領域

本實用新型涉及基本電氣元件技術領域，具體涉及一種基于諧振式高溫陶瓷過渡電路。

背景技術

隨著無線通信系統及雷達系統在毫米波頻段的廣泛應用，傳輸線插損帶來的系統指標下降就顯的尤為突出。在毫米波頻段解決低插損傳輸成為焦點問題。在毫米波氣密性電路中，通常選擇高溫陶瓷電路管殼。高溫陶瓷電路需要將內部電路通過射頻傳輸線引入到外部，為保證氣密性要求一般選擇微帶線-帶狀線-微帶線的過渡形式。

傳統高溫陶瓷的氣密過渡結構一般采用微帶線-帶狀線-微帶線。在高溫陶瓷內帶狀線一般采用變化阻抗的形式，一般為帶狀線部分收窄，做簡單的阻抗匹配。但此種過渡結構過渡插損一般較大，在Ka頻段過渡插損一般大于1dB。

發明內容

本實用新型是為了解決現有高溫陶瓷電路氣密性過渡結構插損大的問題，提供一種基于高溫陶瓷的射頻過渡結構，過渡形式為微帶線-諧振帶狀線-微帶線。此種過渡結構采用諧振式過渡形式，在Ka頻段可保證低插損特性，同時滿足電路對過渡結構的氣密性要求。

本實用新型提供一種基于諧振式高溫陶瓷過渡電路，包括射頻傳輸線，上部陶瓷基材，第一金屬層，下部陶瓷基材和第二金屬層；

上部陶瓷基材設置在射頻傳輸線上部，第一金屬層設置在上部陶瓷基材上部，下部陶瓷基材設置在射頻傳輸線下部，第二金屬層設置在陶瓷基材下部；

射頻傳輸線包括依次連接的第一微帶線、諧振式帶狀線、第二微帶線和設置在諧振式帶狀線兩側的扇形印諧振制圖形；

上部陶瓷基材包括重疊放置的第一陶瓷基材和第二陶瓷基材，下部陶瓷基材包括重疊放置的第三陶瓷基材和第四陶瓷基材，第一陶瓷基材、第二陶瓷基材、第三陶瓷基材和第四陶瓷基材厚度、寬度相同，第一陶瓷基材、第二陶瓷基材長度與諧振式帶狀線長度相同，第三陶瓷基材和第四陶瓷基材長度與射頻傳輸線長度相同；

射頻傳輸線、上部陶瓷基材、第一金屬層、下部陶瓷基材和第二金屬層在相同位置上設置電磁泄露用通孔。

本實用新型所述的一種基于諧振式高溫陶瓷過渡電路，作為優選方式，第一微帶線包括第一外側微帶線和第一過渡結構，第一過渡結構與諧振式帶狀線連接；第二微帶線包括第二外側微帶線和第二過渡結構，第二過渡結構與諧振式帶狀線連接。

本實用新型所述的一種基于諧振式高溫陶瓷過渡電路，作為優選方式，第一過渡結構與第一外側微帶線連接一端的寬度與第一外側微帶線的寬度相同，第一過渡結構與諧振式帶狀線連接一端的寬度與諧振式帶狀線的寬度相同；

第二過渡結構與第二外側微帶線連接一端的寬度與第二外側微帶線的寬度相同，第二過渡結構與諧振式帶狀線連接一端的寬度與諧振式帶狀線的寬度相同。

本實用新型所述的一種基于諧振式高溫陶瓷過渡電路，作為優選方式，第一外側微帶線和第二外側微帶線的寬度為0.28mm，諧振式帶狀線寬度為0.08mm，第一過渡結構和第二過渡結構的長度為0.2mm，諧振式帶狀線長度為1mm。

本實用新型所述的一種基于諧振式高溫陶瓷過渡電路，作為優選方式，扇形印諧振制圖形至少為兩個。