[實用新型]一種基于諧振式高溫陶瓷過渡電路

有效

• 申請號: 202022580368.3
• 申請日: 2020-11-10
• 公開（公告）號: CN213692296U
• 公開（公告）日: 2021-07-13
• 發明（設計）人: 李涼海;趙明;趙計勇;祝大龍;劉德喜;于勇;崔潔;鄭洋;尹蒙蒙
• 申請（專利權）人: 北京遙測技術研究所;航天長征火箭技術有限公司
• 主分類號: H01P1/203
• 分類號: H01P1/203
• 代理公司: 北京巨弘知識產權代理事務所(普通合伙) 11673
• 代理人: 趙洋

1.一種基于諧振式高溫陶瓷過渡電路，其特征在于：包括射頻傳輸線(1)，上部陶瓷基材(2)，第一金屬層(3)，下部陶瓷基材(4)和第二金屬層(5)；

所述上部陶瓷基材(2)設置在所述射頻傳輸線(1)上部，所述第一金屬層(3)設置在所述上部陶瓷基材(2)上部，所述下部陶瓷基材(4)設置在所述射頻傳輸線(1)下部，所述第二金屬層(5)設置在所述陶瓷基材(4)下部；

所述射頻傳輸線(1)包括依次連接的第一微帶線(11)、諧振式帶狀線(12)、第二微帶線(13)和設置在所述諧振式帶狀線(12)兩側的扇形印諧振制圖形(14)；

所述上部陶瓷基材(2)包括重疊放置的第一陶瓷基材(21)和第二陶瓷基材(22)，所述下部陶瓷基材(4)包括重疊放置的第三陶瓷基材(41)和第四陶瓷基材(42)，所述第一陶瓷基材(21)、所述第二陶瓷基材(22)、所述第三陶瓷基材(41)和所述第四陶瓷基材(42)厚度、寬度相同，所述第一陶瓷基材(21)、所述第二陶瓷基材(22)長度與所述諧振式帶狀線(12)長度相同，所述第三陶瓷基材(41)和所述第四陶瓷基材(42)長度與所述射頻傳輸線(1)長度相同；

所述射頻傳輸線(1)、所述上部陶瓷基材(2)、所述第一金屬層(3)、所述下部陶瓷基材(4)和所述第二金屬層(5)在相同位置上設置電磁泄露用通孔。

2.根據權利要求1所述的一種基于諧振式高溫陶瓷過渡電路，其特征在于：所述第一微帶線(11)包括第一外側微帶線(111)和第一過渡結構(112)，所述第一過渡結構(112)與所述諧振式帶狀線(12)連接；所述第二微帶線(13)包括第二外側微帶線(131)和第二過渡結構(132)，所述第二過渡結構(132)與所述諧振式帶狀線(12)連接。

3.根據權利要求2所述的一種基于諧振式高溫陶瓷過渡電路，其特征在于：所述第一過渡結構(112)與所述第一外側微帶線(111)連接一端的寬度與所述第一外側微帶線(111)的寬度相同，所述第一過渡結構(112)與所述諧振式帶狀線(12)連接一端的寬度與所述諧振式帶狀線(12)的寬度相同；

所述第二過渡結構(132)與所述第二外側微帶線(131)連接一端的寬度與所述第二外側微帶線(131)的寬度相同，所述第二過渡結構(132)與所述諧振式帶狀線(12)連接一端的寬度與所述諧振式帶狀線(12)的寬度相同。

4.根據權利要求3所述的一種基于諧振式高溫陶瓷過渡電路，其特征在于：所述第一外側微帶線(111)和所述第二外側微帶線(131)的寬度為0.28mm，所述諧振式帶狀線(12)寬度為0.08mm，所述第一過渡結構(112)和所述第二過渡結構(132)的長度為0.2mm，所述諧振式帶狀線(12)長度為1mm。

5.根據權利要求1所述的一種基于諧振式高溫陶瓷過渡電路，其特征在于：所述扇形印諧振制圖形(14)至少為兩個。

6.根據權利要求5所述的一種基于諧振式高溫陶瓷過渡電路，其特征在于：所述扇形印諧振制圖形(14)為四個且沿所述諧振式帶狀線(12)中心均勻的分布在所述諧振式帶狀線(12)兩側邊緣處。

7.根據權利要求1所述的一種基于諧振式高溫陶瓷過渡電路，其特征在于：所述扇形印諧振制圖形(14)半徑為0.3mm，所述扇形印諧振制圖形(14)夾角為80°。

8.根據權利要求1所述的一種基于諧振式高溫陶瓷過渡電路，其特征在于：所述第一陶瓷基材(21)、所述第二陶瓷基材(22)、所述第三陶瓷基材(41)和所述第四陶瓷基材(42)厚度均為0.15mm。

9.根據權利要求1所述的一種基于諧振式高溫陶瓷過渡電路，其特征在于：所述通孔數量為4個，均勻分布在所述諧振式帶狀線(12)兩側。

10.根據權利要求9所述的一種基于諧振式高溫陶瓷過渡電路，其特征在于：所述通孔直徑為0.2mm，位于所述諧振式帶狀線(12)同側的兩個所述通孔間距為0.5mm，跨所述諧振式帶狀線(12)的兩個相鄰所述通孔間距為0.9mm。