[實用新型]一種真空滅弧室結構

有效

• 申請號: 202022548825.0
• 申請日: 2020-11-06
• 公開（公告）號: CN213519732U
• 公開（公告）日: 2021-06-22
• 發明（設計）人: 畢冬麗;李春香
• 申請（專利權）人: 陜西寶光真空電器股份有限公司
• 主分類號: H01H33/662
• 分類號: H01H33/662;H01H33/664
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 胡彬

1.一種真空滅弧室結構，包括絕緣外殼(2)、屏蔽筒(1)、靜導電桿(3)以及動導電桿(4)，所述屏蔽筒(1)的兩端分別連接于兩個所述絕緣外殼(2)，所述絕緣外殼(2)與所述屏蔽筒(1)之間形成真空腔(21)，所述靜導電桿(3)和所述動導電桿(4)穿設于所述真空腔(21)并能夠相互抵接，以在所述真空腔(21)內形成電場，其特征在于，還包括：

第一屏蔽環組件(5)，其設置于所述真空腔(21)內并連接于一個所述絕緣外殼(2)內壁，所述靜導電桿(3)穿設于所述第一屏蔽環組件(5)；

第二屏蔽環組件(6)，其設置于所述真空腔(21)內并連接于另一個所述絕緣外殼(2)內壁，所述動導電桿(4)穿設于所述第二屏蔽環組件(6)；

所述第一屏蔽環組件(5)和所述第二屏蔽環組件(6)共同用于均衡所述真空腔(21)內電場。

2.根據權利要求1所述的真空滅弧室結構，其特征在于，所述第一屏蔽環組件(5)和所述第二屏蔽環組件(6)均包括多個平行且間隔設置的屏蔽環。

3.根據權利要求2所述的真空滅弧室結構，其特征在于，所述絕緣外殼(2)的內壁上設置環形凸起(22)，位于所述絕緣外殼(2)中部的所述屏蔽環上對應所述環形凸起(22)設置有環形凹槽(521)，所述環形凸起(22)卡接于所述環形凹槽(521)。

4.根據權利要求3所述的真空滅弧室結構，其特征在于，所述環形凸起(22)上設置有第一金屬化層，位于所述絕緣外殼(2)中部的所述屏蔽環能夠通過所述第一金屬化層焊接于所述絕緣外殼(2)內壁。

5.根據權利要求2所述的真空滅弧室結構，其特征在于，在所述絕緣外殼(2)兩端的內壁設置有第二金屬化層，位于所述絕緣外殼(2)兩端的所述屏蔽環通過所述第二金屬化層焊接于所述絕緣外殼(2)內壁。

6.根據權利要求2所述的真空滅弧室結構，其特征在于，在所述屏蔽環的端部沿其周向凸設有加強部(54)，所述加強部(54)向靠近所述屏蔽環軸線的方向延伸，所述加強部(54)用于加強所述屏蔽環端部的電場。

7.根據權利要求1所述的真空滅弧室結構，其特征在于，所述絕緣外殼(2)上設置有外殼凸起(23)，使所述絕緣外殼(2)爬電距離增大，其中爬電距離是指所述動導電桿(4)和所述靜導電桿(3)周圍的所述絕緣外殼(2)被電極化，使所述絕緣外殼(2)呈現帶電現象的帶電區。

8.根據權利要求2所述的真空滅弧室結構，其特征在于，所述屏蔽環沿所述絕緣外殼(2)軸向方向的寬度可調。

9.根據權利要求2所述的真空滅弧室結構，其特征在于，沿所述絕緣外殼(2)軸向方向，位于所述絕緣外殼(2)中部的所述屏蔽環的寬度大于位于所述絕緣外殼(2)兩端的所述屏蔽環的寬度。

10.根據權利要求1-9任一項所述的真空滅弧室結構，其特征在于，還包括波紋管(42)，所述動導電桿(4)穿設于所述波紋管(42)。