[實用新型]一種適用于150um金帶焊接的芯片電容器

有效

• 申請號: 202022483318.3
• 申請日: 2020-10-30
• 公開（公告）號: CN213877830U
• 公開（公告）日: 2021-08-03
• 發明（設計）人: 曹志學;李冠軍;范壯壯;鞠臘梅;張紅旗;孫明;張延偉
• 申請（專利權）人: 成都宏科電子科技有限公司
• 主分類號: H01G4/12
• 分類號: H01G4/12;H01G4/005;H01G4/008
• 代理公司: 成都睿道專利代理事務所(普通合伙) 51217
• 代理人: 陶紅

本申請電子產品技術領域，提供了一種適用于150um金帶焊接的芯片電容器，包括陶瓷介質，陶瓷介質的表面設有活化層；電極層，電極層包括端電極層、阻擋電極層和粘接電極層，本實用性用以提高電極和介質之間的結合強度。

技術領域

本申請涉及電子產品技術領域，具體而言，涉及一種適用于150um金帶焊接的芯片電容器。

背景技術

隨著微波電路集成化不斷提高，要求元件的體積越來越小，相應的，元件焊接區域面積也越來越小，為了保證在較小的焊接區域內元件連接的可靠性，元器件之間越來越多的采用金帶焊接的方式來替代金絲鍵合進行元件連接。但是對于現在的芯片電容器，主要適用于金絲鍵合，當使用金帶進行元件連接后，存在以下問題，1：芯片電容器的電極層不能有效地阻擋金帶焊接時壓力及能量沖擊，導致電極層下瓷體介質體損傷；2：電極層與陶瓷介質體結合力不足，導致使用金帶焊接時電極層剝離。

實用新型內容

本申請的目的在于提供一種適用于150μm金帶焊接芯片電容器，用以解決上述問題。

本申請的實施例通過以下技術方案實現：一種適用于150um金帶焊接的芯片電容器，包括陶瓷介質，陶瓷介質的表面設有活化層；電極層，電極層包括端電極層、阻擋電極層和粘接電極層。

進一步的，活化層包括高溫加熱層和射頻等離子清洗層。

進一步的，端電極層的厚度≥4.0μm，端電極層材料為純金且純度≥ 99.99％；阻擋電極層的厚度為0.5～1.0μm，阻擋電極層材料為鉑且鉑純度≥99.99％；粘接電極層的厚度為0.05～0.20μm，粘接電極層材料為鈦鎢且鈦鎢合金純度≥99.99％。

進一步的，電極層包括上電極層和下電極層，上電極層設置于陶瓷介質的上表面，下電極層設置于陶瓷電極的下表面，上電極層和下電極層都由端電極層、阻擋電極層和粘接電極層組成，上電極層上設有若干環狀凸起，下電極設有若干環狀凹陷，環狀凸起和環狀凹陷一一對應設置。

進一步的，環狀凸起和環狀凹陷的橫街面都呈弧形設置，且兩者橫截面弧形一致。

進一步的，還設有傘裙，傘裙設置于上電極層和下電極層的環側，傘裙為若干缺口。

進一步的，傘裙包括若干環狀缺口，環狀缺口的邊緣設有圓角。

進一步的，傘裙包括若干多邊形缺口，多邊形切口的邊緣設有圓角。

進一步的，還設有內電極層，內電極層設置于陶瓷介質內。

進一步的，電極層上設有豁口，豁口設置于所述內電極層的豎直上方，豁口貫穿所述電極層。

本申請實施例的技術方案至少具有如下優點和有益效果：

1：通過對陶瓷介質體表面進行活化處理，增加了陶瓷介質體表面吸附性，增強了陶瓷介質體與電極層的結合力。

2：通過在端電極層、阻擋電極層與陶瓷介質體之間增加粘接電極層，增加了電極層與陶瓷介質體的連接強度。

3：通過在端電極層與陶瓷介質體之間增加致密度較高的阻擋電極層，增強了電極層對焊接時壓力及超聲能量的阻擋能力，避免了陶瓷介質體的損傷，提高了元件焊接的可靠性。

4：將端金電極層的厚度改為大于等于4μm，增加了與150μm金帶的焊接強度。

附圖說明

為了更清楚地說明本申請實施例的技術方案，下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，應當理解，以下附圖僅示出了本申請的某些實施例，因此不應被看作是對范圍的限定，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他相關的附圖。

圖1為本申請實施例1提供的一種適用于150um金帶焊接的芯片電容器的結構示意圖；