[實用新型]一種適用于150um金帶焊接的芯片電容器

有效

• 申請號: 202022483318.3
• 申請日: 2020-10-30
• 公開（公告）號: CN213877830U
• 公開（公告）日: 2021-08-03
• 發明（設計）人: 曹志學;李冠軍;范壯壯;鞠臘梅;張紅旗;孫明;張延偉
• 申請（專利權）人: 成都宏科電子科技有限公司
• 主分類號: H01G4/12
• 分類號: H01G4/12;H01G4/005;H01G4/008
• 代理公司: 成都睿道專利代理事務所(普通合伙) 51217
• 代理人: 陶紅

1.一種適用于150um金帶焊接的芯片電容器，其特征在于：包括

陶瓷介質，所述陶瓷介質的表面設有活化層；

電極層，所述電極層包括端電極層、阻擋電極層和粘接電極層。

2.如權利要求1所述的適用于150um金帶焊接的芯片電容器，其特征在于，所述活化層包括高溫加熱層和射頻等離子清洗層。

3.如權利要求2所述的適用于150um金帶焊接的芯片電容器，其特征在于，所述端電極層的厚度≥4.0μm，端電極層材料為純金且純度≥99.99％；所述阻擋電極層的厚度為0.5～1.0μm，阻擋電極層材料為鉑且鉑純度≥99.99％；所述粘接電極層的厚度為0.05～0.20μm，粘接電極層材料為鈦鎢且鈦鎢合金純度≥99.99％。

4.如權利要求1-3中任意一項所述的適用于150um金帶焊接的芯片電容器，其特征在于，所述電極層包括上電極層和下電極層，所述上電極層設置于所述陶瓷介質的上表面，所述下電極層設置于所述陶瓷介質的下表面，所述上電極層和下電極層都由端電極層、阻擋電極層和粘接電極層組成，所述上電極層上設有若干環狀凸起，所述下電極設有若干環狀凹陷，所述環狀凸起和環狀凹陷一一對應設置。

5.如權利要求4所述的適用于150um金帶焊接的芯片電容器，其特征在于，所述環狀凸起和所述環狀凹陷的橫街面都呈弧形設置，且兩者橫截面弧形一致。

6.如權利要求5所述的適用于150um金帶焊接的芯片電容器，其特征在于，還設有傘裙，所述傘裙設置于所述上電極層和下電極層的環側，所述傘裙為若干缺口。

7.如權利要求6所述的適用于150um金帶焊接的芯片電容器，其特征在于，所述傘裙包括若干環狀缺口，所述環狀缺口的邊緣設有圓角。

8.如權利要求6所述的適用于150um金帶焊接的芯片電容器，其特征在于，所述傘裙包括若干多邊形缺口，所述多邊形缺口的邊緣設有圓角。

9.如權利要求3所述的適用于150um金帶焊接的芯片電容器，其特征在于，還設有內電極層，所述內電極層設置于所述陶瓷介質內。

10.如權利要求9所述的適用于150um金帶焊接的芯片電容器，其特征在于，所述電極層上設有豁口，所述豁口設置于所述內電極層的豎直上方，所述豁口貫穿所述電極層。