[實(shí)用新型]一種成像模組有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202022410002.1 | 申請(qǐng)日: | 2020-10-26 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN213186257U | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-05-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 胡躍強(qiáng);王旭東;歐香念;張建;姜玉婷;李苓;段輝高;宋強(qiáng);馬國(guó)斌;徐曉波 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 湖南大學(xué);深圳瓏璟光電科技有限公司;湖南大學(xué)深圳研究院 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H04N5/225 | 分類(lèi)號(hào): | H04N5/225;G03B17/12;G02B3/00;G02B1/00 |
| 代理公司: | 深圳市六加知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44372 | 代理人: | 許銓芬 |
| 地址: | 410082*** | 國(guó)省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 成像 模組 | ||
本實(shí)用新型實(shí)施例涉及超構(gòu)表面之中的超構(gòu)透鏡技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種成像模組,包括襯底、超構(gòu)透鏡、感光芯片和光學(xué)膠。超構(gòu)透鏡包括四種超構(gòu)透鏡單元,其電介質(zhì)基底設(shè)置于襯底,包括第一超構(gòu)透鏡單元、第二超構(gòu)透鏡單元、第三超構(gòu)透鏡單元和第四超構(gòu)透鏡單元,第一超構(gòu)透鏡單元與第二超構(gòu)透鏡單元的電介質(zhì)納米柱的面內(nèi)角度的差值為九十度,第三超構(gòu)透鏡單元,與第一超構(gòu)透鏡單元和第二超構(gòu)透鏡單元的電介質(zhì)納米柱的面內(nèi)角度的差值為四十五度,第四超構(gòu)透鏡單元可供左圓或者右圓偏振光通過(guò)。感光芯片設(shè)置于超構(gòu)透鏡。光學(xué)膠設(shè)置于超構(gòu)透鏡與感光芯片之間。成像模組的四種超構(gòu)透鏡單元分別對(duì)四種偏振光敏感,成像模組可同時(shí)進(jìn)行四種偏振成像。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型實(shí)施例涉及超構(gòu)表面之中的超構(gòu)透鏡技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種成像模組。
背景技術(shù)
超構(gòu)透鏡單元是近些年來(lái)一種新型的基于廣義斯涅耳定律的平面光學(xué)調(diào)控元件,由亞波長(zhǎng)尺寸和間隔的結(jié)構(gòu)在二維平面內(nèi)排列而成。通過(guò)合理地設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)的形狀、尺寸、位置和方向,超構(gòu)透鏡單元可以實(shí)現(xiàn)光的相位、振幅、偏振和頻率所有參量的任意調(diào)控。利用超構(gòu)透鏡單元靈活的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和新穎的機(jī)制,可將體積大、功能單一的傳統(tǒng)光學(xué)透鏡重新設(shè)計(jì)成輕薄化、平面化且多功能集成的超構(gòu)透鏡,具有廣闊的應(yīng)用前景。
本實(shí)用新型的發(fā)明人在實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的過(guò)程中,發(fā)現(xiàn):目前,超構(gòu)透鏡應(yīng)用于成像系統(tǒng),不能在復(fù)色光下同時(shí)實(shí)現(xiàn)四種偏振的偏振成像和光場(chǎng)成像。
實(shí)用新型內(nèi)容
鑒于上述問(wèn)題,本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種成像模組,克服了上述問(wèn)題或者至少部分地解決了上述問(wèn)題。
根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的一個(gè)方面,提供了一種成像模組,包括:襯底;超構(gòu)透鏡,包括四種超構(gòu)透鏡單元,四種所述超構(gòu)透鏡單元的電介質(zhì)基底均設(shè)置于所述襯底,四種所述超構(gòu)透鏡單元分別為第一超構(gòu)透鏡單元、第二超構(gòu)透鏡單元、第三超構(gòu)透鏡單元和第四超構(gòu)透鏡單元,所述第一超構(gòu)透鏡單元的電介質(zhì)納米柱的面內(nèi)角度與所述第二超構(gòu)透鏡單元的電介質(zhì)納米柱的面內(nèi)角度的差值為九十度,所述第三超構(gòu)透鏡單元的電介質(zhì)納米柱的面內(nèi)角度,與,所述第一超構(gòu)透鏡單元和所述第二超構(gòu)透鏡單元的電介質(zhì)納米柱的面內(nèi)角度的差值均為四十五度,所述第四超構(gòu)透鏡單元可供左圓偏振光或者右圓偏振光通過(guò);感光芯片,設(shè)置于所述超構(gòu)透鏡,且所述感光芯片遠(yuǎn)離四種所述超構(gòu)透鏡單元的電介質(zhì)基底;光學(xué)膠,設(shè)置于所述超構(gòu)透鏡與所述感光芯片之間,用于將所述超構(gòu)透鏡與所述感光芯片進(jìn)行粘合。
在一種可選的方式中,所述第一超構(gòu)透鏡單元的電介質(zhì)納米柱的面內(nèi)角度為零度,所述第二超構(gòu)透鏡單元的電介質(zhì)納米柱的面內(nèi)角度為九十度,所述第三超構(gòu)透鏡單元的電介質(zhì)納米柱的面內(nèi)角度為四十五度。
在一種可選的方式中,四種所述超構(gòu)透鏡單元以2x2的的排列方式設(shè)置于所述襯底。
在一種可選的方式中,四種所述超構(gòu)透鏡單元的形狀均包括圓形、四邊形和六邊形。
在一種可選的方式中,所述超構(gòu)透鏡的數(shù)量為N2個(gè),N2個(gè)所述超構(gòu)透鏡以NxN的排列方式設(shè)置于所述襯底以進(jìn)行偏振成像和光場(chǎng)成像,其中,N為任意正整數(shù)。
在一種可選的方式中,所述感光芯片包括電路板和感光元件,所述感光元件設(shè)置于所述電路板,所述光學(xué)膠設(shè)置于所述感光元件。
在一種可選的方式中,所述成像模組還包括導(dǎo)電層,所述導(dǎo)電層位于所述襯底與所述超構(gòu)透鏡之間。
在一種可選的方式中,所述超構(gòu)透鏡單元的電介質(zhì)納米柱的結(jié)構(gòu)滿足400到1500納米波長(zhǎng)的復(fù)色光的消色差,其中,所述電介質(zhì)納米柱的結(jié)構(gòu)包括高度、長(zhǎng)軸尺寸、短軸尺寸和面內(nèi)角度。
在一種可選的方式中,所述超構(gòu)透鏡單元的電介質(zhì)納米柱的數(shù)量為多個(gè),每一所述電介質(zhì)納米柱的所述高度的范圍均為200nm至1500nm。
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