[實用新型]一種成像模組

有效

• 申請號: 202022410002.1
• 申請日: 2020-10-26
• 公開（公告）號: CN213186257U
• 公開（公告）日: 2021-05-11
• 發明（設計）人: 胡躍強;王旭東;歐香念;張建;姜玉婷;李苓;段輝高;宋強;馬國斌;徐曉波
• 申請（專利權）人: 湖南大學;深圳瓏璟光電科技有限公司;湖南大學深圳研究院
• 主分類號: H04N5/225
• 分類號: H04N5/225;G03B17/12;G02B3/00;G02B1/00
• 代理公司: 深圳市六加知識產權代理有限公司 44372
• 代理人: 許銓芬

1.一種成像模組，其特征在于，包括：

襯底；

超構透鏡，包括四種超構透鏡單元，四種所述超構透鏡單元的電介質基底均設置于所述襯底，四種所述超構透鏡單元分別為第一超構透鏡單元、第二超構透鏡單元、第三超構透鏡單元和第四超構透鏡單元，所述第一超構透鏡單元的電介質納米柱的面內角度與所述第二超構透鏡單元的電介質納米柱的面內角度的差值為九十度，所述第三超構透鏡單元的電介質納米柱的面內角度，與，所述第一超構透鏡單元和所述第二超構透鏡單元的電介質納米柱的面內角度的差值均為四十五度，所述第四超構透鏡單元可供左圓偏振光或者右圓偏振光通過；

感光芯片，設置于所述超構透鏡，且所述感光芯片遠離四種所述超構透鏡單元的電介質基底；

光學膠，設置于所述超構透鏡與所述感光芯片之間，用于將所述超構透鏡與所述感光芯片進行粘合。

2.根據權利要求1所述的成像模組，其特征在于，所述第一超構透鏡單元的電介質納米柱的面內角度為零度，所述第二超構透鏡單元的電介質納米柱的面內角度為九十度，所述第三超構透鏡單元的電介質納米柱的面內角度為四十五度。

3.根據權利要求1所述的成像模組，其特征在于，四種所述超構透鏡單元以2x2的排列方式設置于所述襯底。

4.根據權利要求1所述的成像模組，其特征在于，四種所述超構透鏡單元的形狀均包括圓形、四邊形和六邊形。

5.根據權利要求1所述的成像模組，其特征在于，所述超構透鏡的數量為N²個，N²個所述超構透鏡以NxN的排列方式設置于所述襯底以進行偏振成像和光場成像，其中，N為任意正整數。

6.根據權利要求1所述的成像模組，其特征在于，所述感光芯片包括電路板和感光元件，所述感光元件設置于所述電路板，所述光學膠設置于所述感光元件。

7.根據權利要求1所述的成像模組，其特征在于，還包括導電層，所述導電層位于所述襯底與所述超構透鏡之間。

8.根據權利要求1所述的成像模組，其特征在于，所述超構透鏡單元的電介質納米柱的結構滿足400到1500納米波長的復色光的消色差，其中，所述電介質納米柱的結構包括高度、長軸尺寸、短軸尺寸和面內角度。

9.根據權利要求8所述的成像模組，其特征在于，所述超構透鏡單元的電介質納米柱的數量為多個，每一所述電介質納米柱的所述高度的范圍均為200nm至1500nm。

10.根據權利要求8所述的成像模組，其特征在于，所述超構透鏡單元的電介質納米柱的數量為多個，每一所述電介質納米柱的所述長軸尺寸和/或短軸尺寸的范圍均為20nm至500nm。