[實用新型]一種化學氣相沉淀裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202022389330.8
• 申請日: 2020-10-24
• 公開（公告）號: CN213357741U
• 公開（公告）日: 2021-06-04
• 發(fā)明（設計）人: 牛新海;李志坤
• 申請（專利權(quán)）人: 青島微弘設備技術有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本實用新型公開了一種化學氣相沉淀裝置，包括沉淀筒、氣體均布件、晶圓布置件；氣體均布件呈圓筒狀結(jié)構(gòu)，氣體均布件的圓筒側(cè)壁內(nèi)設置有沿圓筒軸向方向延伸的環(huán)形均布腔；氣體均布件的圓筒內(nèi)側(cè)壁上均勻設置有若干與環(huán)形均布腔相連通的氣體均布孔；氣體均布件的圓筒外側(cè)壁上設置有與環(huán)形均布腔相連通的氣體入口管；氣體均布件同軸設置在沉淀筒內(nèi)部，晶圓布置件同軸設置在氣體均布件內(nèi)部。本實用新型中環(huán)形均布腔的環(huán)形的設計以及其內(nèi)側(cè)均布的氣體均布孔的設計，使反應氣體由晶圓布置件3圓周的各個方向擴散至各個晶圓位置處，極大地提升了反應氣體的擴散均勻性，從而保證生成薄膜厚度的一致性。

技術領域

本實用新型屬于氣相沉淀設備技術領域，具體涉及一種化學氣相沉淀裝置。

背景技術

金屬有機化合物化學氣相沉淀是在氣相外延生長的基礎上發(fā)展起來的一種新型氣相外延生產(chǎn)技術。目前，一般的氣相沉淀設備包括加熱系統(tǒng)、冷卻系統(tǒng)、氣體運輸系統(tǒng)、氣相沉淀系統(tǒng)等，其中在氣相沉淀系統(tǒng)中，經(jīng)過前面一系列處理之后的反應氣體進入到沉淀腔內(nèi)，并擴散至沉淀腔中的晶圓表面，在晶圓表面附近的反應區(qū)形成薄膜。

但是，現(xiàn)有氣相沉淀設備的沉淀腔內(nèi)，反應氣體不能均勻的擴散到晶圓表面，從而導致生成的薄膜厚度不均。

因此，亟需設計一種能夠提升反應氣體擴散均勻性的化學氣相沉淀裝置。

實用新型內(nèi)容

本實用新型的目的是為克服上述現(xiàn)有技術的不足，提供一種化學氣相沉淀裝置。

為實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用如下技術方案：

一種化學氣相沉淀裝置，包括沉淀筒、氣體均布件、晶圓布置件；

所述沉淀筒呈兩端封堵的圓筒狀結(jié)構(gòu)；

所述氣體均布件呈圓筒狀結(jié)構(gòu)，所述氣體均布件的圓筒側(cè)壁內(nèi)設置有沿圓筒軸向方向延伸的環(huán)形均布腔；所述氣體均布件的圓筒內(nèi)側(cè)壁上均勻設置有若干與環(huán)形均布腔相連通的氣體均布孔；所述氣體均布件的圓筒外側(cè)壁上設置有與環(huán)形均布腔相連通的氣體入口管；

所述晶圓布置件呈圓柱狀結(jié)構(gòu)，所述晶圓布置件的側(cè)壁上均勻設置有若干用來安裝晶圓的晶圓夾筒；

所述氣體均布件同軸設置在沉淀筒內(nèi)部，所述沉淀筒的側(cè)壁上設置有供氣體入口管穿過的通孔；

所述晶圓布置件同軸設置在氣體均布件內(nèi)部，所述晶圓布置件的底端與沉淀筒的內(nèi)側(cè)底端固定連接。

優(yōu)選的，所述沉淀筒包括上下對稱設置的上沉淀筒和下沉淀筒；

所述上沉淀筒的底端設置上連接法蘭；所述下沉淀筒的頂端設置下連接法蘭；

所述上連接法蘭、下連接法蘭通過螺栓進行連接。

優(yōu)選的，所述氣體均布件的外側(cè)壁中部設置有環(huán)形安裝板；所述環(huán)形安裝板上沿圓周方向均勻設置若干連接孔；

所述環(huán)形安裝板位于上連接法蘭、下連接法蘭之間；

所述上連接法蘭、環(huán)形安裝板、下連接法蘭通過螺栓進行連接。

優(yōu)選的，所述氣體入口管上設置入口閥門。

優(yōu)選的，所述入口閥門前端的氣體入口管上設置用來過濾氣體的過濾件。

優(yōu)選的，所述過濾件包括呈圓筒狀結(jié)構(gòu)的過濾筒，所述過濾筒的內(nèi)側(cè)面上沿軸向方向均勻內(nèi)嵌有若干層鋼絲過濾網(wǎng)；

所述過濾筒的兩端與氣體入口管進行法蘭連接。

本實用新型的有益效果是：