[實用新型]發光元件及具有此的顯示裝置有效
| 申請號: | 202022373742.2 | 申請日: | 2020-10-22 |
| 公開(公告)號: | CN212907741U | 公開(公告)日: | 2021-04-06 |
| 發明(設計)人: | 張鐘敏;金彰淵 | 申請(專利權)人: | 首爾偉傲世有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/38;H01L33/42 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 全振永;李盛泉 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 元件 具有 顯示裝置 | ||
本實用新型公開一種發光元件及具有此的顯示裝置。發光元件包括:第一發光堆疊件;第二發光堆疊件;第三發光堆疊件;第一下部接觸電極,歐姆接觸于第一發光堆疊件;第二下部接觸電極,歐姆接觸于第二發光堆疊件的第二導電型半導體層;以及第三下部接觸電極,歐姆接觸于第三發光堆疊件的第二導電型半導體層,其中,第二發光堆疊件布置于第一發光堆疊件與第三發光堆疊件之間,第一下部接觸電極布置于第一發光堆疊件與第二發光堆疊件之間,第二下部接觸電極及第三下部接觸電極布置于第二發光堆疊件與第三發光堆疊件之間,第一下部接觸電極至第三下部接觸電極利用透明導電性氧化物層形成,第二下部接觸電極或第三下部接觸電極比第一下部接觸電極更厚。
技術領域
本公開涉及一種顯示器用發光元件及具有此的LED顯示裝置。
背景技術
發光二極管作為無機光源,被多樣地用于諸如顯示裝置、車輛用燈具、一般照明等的多種領域。發光二極管具有壽命長、功耗低且響應速度快的優點,因此正快速地替代現有光源。
另外,現有的發光二極管在顯示裝置中主要用作背光光源。但是,最近正在開發利用發光二極管來直接實現圖像的LED顯示器。
顯示裝置通常利用藍色、綠色及紅色的混合色實現多樣的顏色。顯示裝置為了實現多樣的圖像而包括多個像素,各個像素具有藍色、綠色及紅色的子像素,并且通過這些子像素的顏色來確定特定像素的顏色,并且通過這些像素的組合來實現圖像。
LED可以根據其材料發出多樣的顏色的光,因此可以通過將發出藍色、綠色及紅色的單個LED芯片排列于二維平面上來提供顯示裝置。但是如果在各個子像素排列一個LED芯片,則LED芯片的數量增加,從而在貼裝工序中花費很多時間。
由于將子像素排列在二維平面上,因此包括藍色、綠色及紅色子像素的一個像素占有的面積也相對變寬。因此,為了在有限的面積內排列子像素而需要減小每個LED芯片的面積。但是,減小LED芯片的尺寸的減小會使LED 芯片的貼裝變得困難,進而導致發光面積減小并降低發光強度。
另外,實現多種顏色的顯示裝置需要一貫地提供高品質的白光?,F有的 TV為了實現D65的標準白色光而使用了3:6:1的RGB混合比。即,比起藍色的發光強度,紅色的發光強度相對更高,并且綠色的發光強度相對最高。然而,由于當前使用的LED芯片相比于其他LED,其藍色LED的發光強度通常相對較高,因此存在利用LED芯片的顯示裝置難以匹配RGB混合比的問題。
實用新型內容
本公開期望解決的技術問題在于提供一種能夠在有限的像素面積內增加各個子像素的面積的顯示裝置。
本公開期望解決的又一技術問題在于提供一種能夠縮短貼裝工序時間的顯示裝置。
本公開期望解決的又一技術問題在于提供一種能夠容易地控制RGB混合比的顯示裝置。
根據本公開的一實施例的發光元件包括:第一發光堆疊件,包含第一導電型半導體層及第二導電型半導體層;第二發光堆疊件,包含第一導電型半導體層及第二導電型半導體層;第三發光堆疊件,包含第一導電型半導體層及第二導電型半導體層;第一下部接觸電極,歐姆接觸于所述第一發光堆疊件;第二下部接觸電極,歐姆接觸于所述第二發光堆疊件的第二導電型半導體層;以及第三下部接觸電極,歐姆接觸于所述第三發光堆疊件的第二導電型半導體層,其中,所述第二發光堆疊件布置于所述第一發光堆疊件與第三發光堆疊件之間,所述第一下部接觸電極布置于所述第一發光堆疊件與第二發光堆疊件之間,所述第二下部接觸電極及第三下部接觸電極布置于第二發光堆疊件與第三發光堆疊件之間,所述第一下部接觸電極、第二下部接觸電極及第三下部接觸電極利用透明導電性氧化物層形成,所述第二下部接觸電極或者第三下部接觸電極比所述第一下部接觸電極更厚。
另外,所述第一發光堆疊件可以發出紅色光,所述第二發光堆疊件可以發出藍色光,所述第三發光堆疊件可以發出綠色光。
在一實施例中,所述第二下部接觸電極可以比所述第三下部接觸電極更厚。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





