[實用新型]發光元件及具有此的顯示裝置有效
| 申請號: | 202022373742.2 | 申請日: | 2020-10-22 |
| 公開(公告)號: | CN212907741U | 公開(公告)日: | 2021-04-06 |
| 發明(設計)人: | 張鐘敏;金彰淵 | 申請(專利權)人: | 首爾偉傲世有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/38;H01L33/42 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 全振永;李盛泉 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 元件 具有 顯示裝置 | ||
1.一種發光元件,其特征在于,包括:
第一發光堆疊件,包含第一導電型半導體層及第二導電型半導體層;
第二發光堆疊件,包含第一導電型半導體層及第二導電型半導體層;
第三發光堆疊件,包含第一導電型半導體層及第二導電型半導體層;
第一下部接觸電極,歐姆接觸于所述第一發光堆疊件;
第二下部接觸電極,歐姆接觸于所述第二發光堆疊件的第二導電型半導體層;以及
第三下部接觸電極,歐姆接觸于所述第三發光堆疊件的第二導電型半導體層,
其中,所述第二發光堆疊件布置于所述第一發光堆疊件與第三發光堆疊件之間,
所述第一下部接觸電極布置于所述第一發光堆疊件與第二發光堆疊件之間,
所述第二下部接觸電極及第三下部接觸電極布置于第二發光堆疊件與第三發光堆疊件之間,
所述第一下部接觸電極、第二下部接觸電極及第三下部接觸電極利用透明導電性氧化物層形成,
所述第二下部接觸電極或者第三下部接觸電極比所述第一下部接觸電極更厚。
2.根據權利要求1所述的發光元件,其特征在于,
所述第一發光堆疊件發出紅色光,所述第二發光堆疊件發出藍色光,所述第三發光堆疊件發出綠色光。
3.根據權利要求1所述的發光元件,其特征在于,
所述第二下部接觸電極比所述第三下部接觸電極更厚。
4.根據權利要求1所述的發光元件,其特征在于,
所述第二下部接觸電極或者第三下部接觸電極包括為了歐姆接觸于第二導電型半導體層而經過熱處理的下部層及布置于所述下部層上并且不經過熱處理而形成的上部層。
5.根據權利要求4所述的發光元件,其特征在于,
所述上部層比所述下部層更厚。
6.根據權利要求1所述的發光元件,其特征在于,
所述第一下部接觸電極至第三下部接觸電極是ITO系透明導電性氧化物層。
7.根據權利要求1所述的發光元件,其特征在于,
所述第一下部接觸電極歐姆接觸于所述第一發光堆疊件的第二導電型半導體層。
8.根據權利要求1所述的發光元件,其特征在于,還包括:
第一連接電極,電連接于所述第一發光堆疊件;
第二連接電極,電連接于所述第二發光堆疊件;
第三連接電極,電連接于所述第三發光堆疊件;以及
第四連接電極,與所述第一發光堆疊件、第二發光堆疊件及第三發光堆疊件共同地電連接。
9.根據權利要求8所述的發光元件,其特征在于,
所述第四連接電極與所述第一發光堆疊件至第三發光堆疊件的第一導電型半導體層共同地電連接,
所述第一導電型半導體層是n型半導體層。
10.根據權利要求8所述的發光元件,其特征在于,還包括:
保護層,圍繞所述第一連接電極至第四連接電極的至少一部分。
11.根據權利要求10所述的發光元件,其特征在于,
所述保護層包括環氧樹脂模塑料或者聚酰亞胺膜,
所述保護層的上表面平行于所述第一連接電極至第四連接電極的下表面。
12.根據權利要求1所述的發光元件,其特征在于,還包括:
基板,與所述第三發光堆疊件相鄰地布置。
13.根據權利要求1所述的發光元件,其特征在于,還包括:
第一粘合層,結合所述第一發光堆疊件和所述第二發光堆疊件;以及
第二粘合層,結合所述第二發光堆疊件和所述第三發光堆疊件。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





