[實用新型]一種清理MOCVD上噴淋頭的工具

有效

• 申請號: 202022361625.4
• 申請日: 2020-10-21
• 公開（公告）號: CN213327825U
• 公開（公告）日: 2021-06-01
• 發明（設計）人: 孫飛
• 申請（專利權）人: 蘇州尚勤光電科技有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;B08B1/00
• 代理公司: 無錫市匯誠永信專利代理事務所(普通合伙) 32260
• 代理人: 許云峰

本實用新型公開了一種清理MOCVD上噴淋頭的工具，包括與噴淋頭匹配的圓形支架，所述圓形支架固定在噴淋頭上；所述圓形支架上設有固定導軌，所述固定導軌上滑動設有基板，所述基板上設置有伸縮導軌，所述伸縮導軌的移動軌跡與固定導軌的移動方向在空間上垂直分布；所述伸縮導軌上設置有刷頭安裝座，所述刷頭安裝座上設置有與噴淋頭接觸的刷頭。本實用新型一旦固定在噴淋頭上時，其上的刷頭與噴淋頭的距離就固定了，從而刷頭抵觸噴淋頭的力量也會固定下來，相比人工刷噴淋頭，其受力均衡，對噴淋頭的清理效果好，也減輕噴淋頭清理時的勞動強度。

技術領域

本實用新型涉及MOCVD維護技術領域，尤其涉及一種清理垂直式噴淋頭MOCVD上噴淋頭的工具。

背景技術

MOCVD(金屬有機源化學氣相沉積設備)，是一種在高溫腔體內利用氣相源進行化合物沉積的設備。技術要點為將襯底(藍寶石、硅片等基板)放置于石墨盤上，在一定溫度和壓力下，通入化學元素周期表III/V族氣體，III/V族氣體會在襯底表面合成化合物，該化合物會沿襯底晶相沉積(俗稱外延生長)。

如圖1為垂直式噴淋頭MOCVD設備的反應室結構，III/V族氣體通過噴淋頭C噴出，在襯底E上形成化合物薄膜(襯底E放置在石墨舟F上，石墨舟F下方設有加熱系統G)。在襯底E上形成化合物薄膜的同時，也會有部分化學反應是在噴淋頭C附近發生，會導致沉積物沉積在噴淋頭C上，這些沉積物需要定期清理。目前所采用的是人工刷的方式，人工刷噴淋頭，會出現由于不同操作人員經驗不同，刷的干凈程度也不相同，這些都會影響后續生產的產品品質。

實用新型內容

為克服上述缺點，本實用新型的目的在于提供一種清理MOCVD上噴淋頭的工具，提高刷噴淋頭的效果，減輕工人的工作量。

為了達到以上目的，本實用新型采用的技術方案是：一種清理MOCVD上噴淋頭的工具，包括與噴淋頭匹配的圓形支架，所述圓形支架固定在噴淋頭上；所述圓形支架上設有固定導軌，所述固定導軌上滑動設有基板，所述基板上設置有伸縮導軌，所述伸縮導軌的移動軌跡與固定導軌的移動方向在空間上垂直分布；所述伸縮導軌上設置有刷頭安裝座，所述刷頭安裝座上設置有與噴淋頭接觸的刷頭。

進一步來說，所述刷頭安裝座上設置有向外伸出的握持端。

進一步來說，所述握持端由四根棒體組成，四根所述棒體分布在刷頭安裝座的前后左右四個方位。

人員手動握持棒體，推動刷頭安裝座移動，進而帶動刷頭移動，實現噴淋頭的清潔。

進一步來說，所述圓形支架的邊緣環形陣列分布有若干個等高的支撐柱，所述支撐柱的上端通過螺絲固定在噴淋頭上。

進一步來說，所述基板的側壁上設有緩沖件，該緩沖件采用橡膠材質，使其本身具有一定彈性，用以保護基板。

進一步來說，所述固定導軌的中心線與圓形支架的直徑重合，所述伸縮導軌為多節伸縮導軌，所述伸縮導軌的伸縮范圍大于或等于噴淋頭的直徑。

與現有技術相比，本實用新型一旦固定在噴淋頭上時，其上的刷頭與噴淋頭的距離就固定了，從而刷頭抵觸噴淋頭的力量也會固定下來，相比人工刷噴淋頭，其受力均衡，對噴淋頭的清理效果好，也減輕噴淋頭清理時的勞動強度。

附圖說明

圖1為現有技術中反應室內的部件分布示意圖。

圖2為本實用新型實施例的第一狀態結構示意圖。

圖3為本實用新型實施例的第二狀態結構示意圖。

圖4為本實用新型實施例的第三狀態結構示意圖。

圖中：

1－圓形支架；2－固定導軌；3－基板；4－伸縮導軌；5－刷頭安裝座；6－刷頭。

具體實施方式