[實用新型]一種單向半導體放電管及雙向半導體放電管

有效

• 申請號: 202022356951.6
• 申請日: 2020-10-21
• 公開（公告）號: CN213752708U
• 公開（公告）日: 2021-07-20
• 發明（設計）人: 單少杰;蘇海偉;魏峰;王帥;張英鵬;范煒盛
• 申請（專利權）人: 上海維安半導體有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L27/07
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 黨蕾

本實用新型涉及半導體保護器件技術領域，尤其涉及一種單向半導體放電管及雙向半導體放電管，其中，包括：相互并聯的第一TSS器件及第一TVS器件；其中，包括第一半導體襯底，第一半導體襯底上表面設置有一預定深度的第一N型摻雜區，第一半導體襯底下表面設置有一預定深度的第二N型摻雜區；一第一TSS器件區域；一第一TVS器件區域設置于第一TSS器件區域的一側；第一TSS器件區域與第一TVS器件區域通過第一N型摻雜區及第二N型摻雜區實現并聯。有益效果：使得形成有二次回歸的特性曲線，且使得在小電流情況下由第一TVS器件區域導通，從而有效降低器件殘壓，進而消除器件浪涌對后端電路的影響，防止后端電路受到殘壓影響后損壞。

技術領域

本實用新型涉及半導體保護器件技術領域，尤其涉及一種單向半導體放電管及雙向半導體放電管。

背景技術

半導體放電管是一種過壓保護器件，是利用晶閘管原理制成的，依靠PN結的擊穿電流觸發器件導通放電，可以流過很大的浪涌電流或脈沖電流。其擊穿電壓的范圍，構成了過壓保護的范圍，半導體放電管其應用范圍廣泛，可用于調制解調器、傳真機、PBX系統、電話、POS系統、模擬和數字卡等。器件本身吸收浪涌能量保護后級電路不受浪涌損害。器件在通信端口，信號端口得到了廣泛的應用，強的浪涌能力低的殘壓是器件優化的方向。

現有技術中，普遍使用擴散片生產半導體放電管器件時，結構通常為N1P1N2P2結構，如圖1所示，或者P21N21P22N22結構，如圖2所示。然而這種傳統半導體放電管器件的電流電壓曲線圖不帶有二次回掃特性，且無法降低中小電流下的器件殘壓，如圖3所示，橫坐標為電壓U(單位：伏\V)，縱坐標為電流I(單位：安培\A)。因此，針對上述問題，成為本領域技術人員亟待解決的難題。

發明內容

針對現有技術中存在的上述問題，現提供一種單向半導體放電管及雙向半導體放電管。

具體技術方案如下：

本實用新型提供一種單向半導體放電管，其中，包括：

相互并聯的第一TSS器件及第一TVS器件；

其中，包括

一P型摻雜的第一半導體襯底，所述第一半導體襯底上表面設置有一預定深度的第一N型摻雜區，所述第一半導體襯底下表面設置有一所述預定深度的第二N型摻雜區；

一第一TSS器件區域；

一第一TVS器件區域，設置于所述第一TSS器件區域的一側；

所述第一TSS器件區域與所述第一TVS器件區域通過所述第一N型摻雜區及所述第二N型摻雜區實現并聯。

優選的，所述第一TSS器件包括一PNP型的第一三極管及一NPN型的第二三極管，所述第一三極管的發射極形成所述第一TSS器件的第一電極，所述第一三極管的基極連接所述第二三極管的集電極并進一步連接所述第一TVS器件的第一電極，所述第一三級管的集電極連接所述第二三極管的基極，所述第二三極管的發射極并聯所述第一TVS器件的第二電極。

優選的，所述第一N型摻雜區中設置有至少一個第一P+摻雜區，至少一個所述第一P+摻雜區頂部與所述第一半導體襯底上表面齊平且深度小于所述第一N型摻雜區，每個所述第一P+摻雜區之間具有間隙；

所述第二N型摻雜區中對應至少一個所述第一P+摻雜區的位置，設置有一第一N+++摻雜區，所述第一N+++摻雜區底部與所述第一半導體襯底下表面齊平且高度小于所述第二N型摻雜區；

至少一個所述第一P+摻雜區，所述第一N型摻雜區，所述第一半導體襯底的對應區域形成所述第一三極管；

所述第一N型摻雜區，所述第一半導體襯底的對應區域，所述第二N型摻雜區及所述第一N+++摻雜區形成所述第二三極管。