[實用新型]晶圓的測試結構

有效

• 申請號: 202022354032.5
• 申請日: 2020-10-21
• 公開（公告）號: CN213958950U
• 公開（公告）日: 2021-08-13
• 發明（設計）人: 周源;張小麟;李靜怡;朱林迪;梁維佳;常東旭;楊欞鑫;王超;于江勇
• 申請（專利權）人: 北京燕東微電子科技有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;G01B7/00;G01B7/02
• 代理公司: 北京成創同維知識產權代理有限公司 11449
• 代理人: 蔡純;楊思雨

1.一種晶圓的測試結構，其特征在于，所述晶圓包括至少一個半導體器件，所述半導體器件具有套刻的第一結構和第二結構；所述測試結構包括：

多個第一導電單元；

多個第一導電插塞，與所述多個第一導電單元一一對應；

第一電極，分別與每個所述第一導電單元電連接；以及

測試電極，分別與每個所述第一導電插塞電連接，并與所述第一電極間隔設置，使得所述第一電極與所述測試電極之間具有第一電阻，

其中，沿第一方向，隨著所述第一結構與所述第二結構之間相對位置的偏差增大，所述第一導電單元與所述第一導電插塞接觸的數量遞增或遞減，使所述第一電阻的電阻值隨之改變；

所述第一方向垂直于所述晶圓的厚度方向。

2.根據權利要求1所述的測試結構，其特征在于，還包括：

多個第二導電單元；

多個第二導電插塞，與所述多個第二導電單元一一對應；以及

第二電極，分別與每個所述第二導電單元電連接，

所述測試電極還分別與每個所述第二導電插塞電連接，并與所述第二電極間隔設置，使得所述第二電極與所述測試電極之間具有第二電阻，

其中，沿所述第一方向，所述第一導電單元與所述第二導電單元分別位于所述測試電極的兩側，且所述第二導電單元與所述第二導電插塞接觸的數量隨著所述第一結構與所述第二結構之間相對位置的偏差增大而遞增或遞減，使所述第二電阻的電阻值隨之改變。

3.根據權利要求2所述的測試結構，其特征在于，沿所述第一方向，

在所述第一結構與所述第二結構之間的相對距離不超過預設值的情況下，所述第一電阻與所述第二電阻的電阻值相同；

在所述第一結構與所述第二結構之間的相對距離大于預設值的情況下，隨著所述第一結構與所述第二結構之間相對位置的偏差增大，所述第一電阻與所述第二電阻的電阻值變化的趨勢相反，且變化量相同。

4.根據權利要求3所述的測試結構，其特征在于，所述第一導電單元的數量為2n+1，其中n為正整數；在所述第一結構與所述第二結構之間的相對距離不超過預設值的情況下，所述第一導電單元與所述第一導電插塞接觸的數量為n+1。

5.根據權利要求4所述的測試結構，其特征在于，所述第一導電單元包括位于襯底中的第一溝槽、位于第一溝槽內表面的第一介質層、以及填充于所述第一溝槽中并覆蓋所述第一介質層的第一導電層；

多個所述第一導電層平行排布并均沿所述第一方向延伸，且兩端分別對齊；多個所述第一導電插塞沿所述第一方向按預設距離遞進排列；

所述第二導電單元包括位于所述襯底中的第二溝槽、位于所述第二溝槽內表面的第二介質層、以及填充于所述第二溝槽中并覆蓋所述第二介質層的第二導電層；

多個所述第二導電層平行排布并均沿所述第一方向延伸，且兩端分別對齊；多個所述第二導電插塞沿所述第一方向按所述預設距離遞進排列。

6.根據權利要求5所述的測試結構，其特征在于，多個所述第一導電插塞與多個所述第二導電插塞在所述測試電極上的正投影呈中心對稱或軸對稱。

7.根據權利要求5所述的測試結構，其特征在于，還包括隔離層和多個連接柱，其中，所述隔離層位于襯底上，所述第一導電插塞穿過所述隔離層與所述測試電極電連接；所述第一電極經所述連接柱與所述第二導電層電連接。

8.根據權利要求1-7任一項所述的測試結構，其特征在于，所述第一電極和所述測試電極均為焊盤；所述焊盤與所述第一導電插塞直接接觸，或者所述焊盤通過位于所述晶圓中的導電層與所述第一導電插塞連接。