[實用新型]一種兼容方形硅片和菱形硅片的石英舟有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202022258524.4 | 申請日: | 2020-10-12 |
| 公開(公告)號: | CN213150741U | 公開(公告)日: | 2021-05-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李鐵;李楊 | 申請(專利權(quán))人: | 江蘇沃宏裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673 |
| 代理公司: | 南京科知維創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 32270 | 代理人: | 許益民 |
| 地址: | 214000 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 兼容 方形 硅片 菱形 石英 | ||
1.一種兼容方形硅片和菱形硅片的石英舟,其特征在于:包括前側(cè)板、后側(cè)板、沿第一方向設(shè)置的兩根上部支撐桿以及沿第一方向設(shè)置的兩根下部支撐桿,所述前側(cè)板與所述后側(cè)板平行設(shè)置,兩根所述上部支撐桿設(shè)于所述前側(cè)板與所述后側(cè)板之間的上端兩側(cè),兩根所述下部支撐桿設(shè)于所述前側(cè)板與所述后側(cè)板的底端,且兩根所述上部支撐桿之間的距離大于兩根所述下部支撐桿之間的距離;每根所述上部支撐桿上設(shè)有用于對硅片進行側(cè)邊定位的第一插槽,每根所述下部支撐桿上設(shè)有用于對硅片進行底端定位的第二插槽。
2.如權(quán)利要求1所述的兼容方形硅片和菱形硅片的石英舟,其特征在于:所述前側(cè)板與所述后側(cè)板的底端兩側(cè)均設(shè)有舟腳。
3.如權(quán)利要求1所述的兼容方形硅片和菱形硅片的石英舟,其特征在于:所述前側(cè)板的底端中部設(shè)有前固定板,所述后側(cè)板的底端中部設(shè)有后固定板,所述前固定板與所述后固定板之間設(shè)有連接桿。
4.如權(quán)利要求3所述的兼容方形硅片和菱形硅片的石英舟,其特征在于:所述前固定板與所述前側(cè)板一體成型,所述后固定板與所述后側(cè)板一體成型。
5.如權(quán)利要求1所述的兼容方形硅片和菱形硅片的石英舟,其特征在于:所述上部支撐桿、所述下部支撐桿的截面為矩形、菱形或圓形。
6.如權(quán)利要求5所述的兼容方形硅片和菱形硅片的石英舟,其特征在于:所述第一插槽沿所述上部支撐桿的周向環(huán)繞所述上部支撐桿一圈,所述第一插槽的內(nèi)部形成圓柱形的第一接觸桿。
7.如權(quán)利要求5所述的兼容方形硅片和菱形硅片的石英舟,其特征在于:所述第二插槽沿所述下部支撐桿的周向環(huán)繞所述下部支撐桿一圈,所述第二插槽的內(nèi)部形成圓柱形的第二接觸桿。
8.如權(quán)利要求1所述的兼容方形硅片和菱形硅片的石英舟,其特征在于:每根所述上部支撐桿、所述下部支撐桿的兩端通過緊固件與所述前側(cè)板、所述后側(cè)板分別連接。
9.如權(quán)利要求8所述的兼容方形硅片和菱形硅片的石英舟,其特征在于:所述緊固件為螺釘或螺絲。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于江蘇沃宏裝備有限公司,未經(jīng)江蘇沃宏裝備有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202022258524.4/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:一種便攜式熱量換算工具
- 下一篇:一種用于紅外線接收芯片測試儀的電源
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





