[實用新型]一種兼容方形硅片和菱形硅片的石英舟有效
| 申請號: | 202022258524.4 | 申請日: | 2020-10-12 |
| 公開(公告)號: | CN213150741U | 公開(公告)日: | 2021-05-07 |
| 發明(設計)人: | 李鐵;李楊 | 申請(專利權)人: | 江蘇沃宏裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673 |
| 代理公司: | 南京科知維創知識產權代理有限責任公司 32270 | 代理人: | 許益民 |
| 地址: | 214000 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 兼容 方形 硅片 菱形 石英 | ||
本實用新型提供一種兼容方形硅片和菱形硅片的石英舟,包括前側板、后側板、沿第一方向設置的兩根上部支撐桿以及沿第一方向設置的兩根下部支撐桿,前側板與后側板平行設置,兩根上部支撐桿設于前側板與后側板之間的上端兩側,兩根下部支撐桿設于前側板與后側板的底端,且兩根上部支撐桿之間的距離大于兩根下部支撐桿之間的距離;每根上部支撐桿上設有用于對硅片進行側邊定位的第一插槽,每根下部支撐桿上設有用于對硅片進行底端定位的第二插槽。本實用新型對石英舟的結構進行優化設計,使其能夠兼容承載方形硅片和菱形硅片,提高了石英舟的利用效率,降低了生產成本。
技術領域
本實用新型涉及半導體工藝設備領域,尤其涉及一種兼容方形硅片和菱形硅片的石英舟。
背景技術
擴散爐是半導體生產線前工序的重要工藝設備之一,用于大規模集成電路、分立器件、電力電子、光電器件和光導纖維等行業的擴散、氧化、退火、合金及燒結等工藝。擴散爐與其內的石英管相配合,常用于半導體硅片的高溫擴散,進而生產得到芯片。在硅片擴散的過程中,石英舟是用于承載硅片的器具,其內部空間用于放置硅片。目前的石英舟一般是根據特定形狀的硅片來設計的,一種結構的石英舟只能承載一種形狀的硅片,在生產中購買設備的成本較高。
發明內容
本實用新型的目的是為了解決現有技術中存在的缺點,而提出的一種兼容方形硅片和菱形硅片的石英舟,降低設備成本。
為實現上述目的,本實用新型采用了如下技術方案:
一種兼容方形硅片和菱形硅片的石英舟,包括前側板、后側板、沿第一方向設置的兩根上部支撐桿以及沿第一方向設置的兩根下部支撐桿,所述前側板與所述后側板平行設置,兩根所述上部支撐桿設于所述前側板與所述后側板之間的上端兩側,兩根所述下部支撐桿設于所述前側板與所述后側板的底端,且兩根所述上部支撐桿之間的距離大于兩根所述下部支撐桿之間的距離;每根所述上部支撐桿上設有用于對硅片進行側邊定位的第一插槽,每根所述下部支撐桿上設有用于對硅片進行底端定位的第二插槽。
優選地,所述前側板與所述后側板的底端兩側均設有舟腳。
優選地,所述前側板的底端中部設有前固定板,所述后側板的底端中部設有后固定板,所述前固定板與所述后固定板之間設有連接桿。
進一步地,所述前固定板與所述前側板一體成型,所述后固定板與所述后側板一體成型。
優選地,所述上部支撐桿、所述下部支撐桿的截面為矩形、菱形或圓形。
優選地,所述第一插槽沿所述上部支撐桿的周向環繞所述上部支撐桿一圈,所述第一插槽的內部形成圓柱形的第一接觸桿。
優選地,所述第二插槽沿所述下部支撐桿的周向環繞所述下部支撐桿一圈,所述第二插槽的內部形成圓柱形的第二接觸桿。
優選地,每根所述上部支撐桿、所述下部支撐桿的兩端通過緊固件與所述前側板、所述后側板分別連接。
進一步地,所述緊固件為螺釘或螺絲。
與現有技術相比,本實用新型的有益效果為:本實用新型對石英舟的結構進行優化設計,使其能夠兼容承載方形硅片和菱形硅片,提高了石英舟的利用效率,降低了生產成本。
附圖說明
圖1為本實用新型實施例1的一種兼容方形硅片和菱形硅片的石英舟的俯視圖;
圖2為本實用新型實施例1的一種兼容方形硅片和菱形硅片的石英舟的主視圖;
圖3為本實用新型實施例1的一種兼容方形硅片和菱形硅片的石英舟中上部支撐桿的剖視圖;
圖4為本實用新型實施例1的一種兼容方形硅片和菱形硅片的石英舟中下部支撐桿的剖視圖;
圖5為本實用新型實施例1的一種兼容方形硅片和菱形硅片的石英舟承載方形硅片時的主視圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





