[實用新型]一種用于鍍膜機的控溫裝置有效
| 申請號: | 202022227921.5 | 申請日: | 2020-10-09 |
| 公開(公告)號: | CN213266690U | 公開(公告)日: | 2021-05-25 |
| 發明(設計)人: | 莫勇 | 申請(專利權)人: | 重慶億博光電儀器有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/54 | 分類號: | C23C14/54;C23C14/24 |
| 代理公司: | 重慶越利知識產權代理事務所(普通合伙) 50258 | 代理人: | 熊恒定 |
| 地址: | 400700 重*** | 國省代碼: | 重慶;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 鍍膜 裝置 | ||
本實用新型公開了一種用于鍍膜機的控溫裝置,包括真空爐,所述真空爐的內部底表面設置有蒸發源,所述真空爐的一側內壁設置有第一加熱器,所述真空爐的另一側內壁設置有第二加熱器,所述真空爐的內部上側位置設置有第三加熱器,所述第一加熱器、第二加熱器和第三加熱器上均等距設置有多個加熱管,所述第三加熱器的下方設置有基片,所述真空爐的內壁對應基片的下表面后側設置有多個膜厚儀,所述真空爐的內部頂表面設置有溫度感應器,所述真空爐的外表面一側連接有控制器。本實用新型中,爐內設有三個加熱器,各加熱器均由獨立的加熱管組成,實現不同區域溫度獨立控制,配合膜厚儀檢測基片各位置鍍膜厚度實現相應的控制作業,保證基片表面鍍膜均勻。
技術領域
本實用新型涉及鍍膜機領域,尤其涉及一種用于鍍膜機的控溫裝置。
背景技術
真空鍍膜機主要指一類需要在較高真空度下進行的鍍膜,具體包括很多種類,包括真空電阻加熱蒸發,電子槍加熱蒸發,磁控濺射,MBE分子束外延,PLD激光濺射沉積,離子束濺射等很多種。
一般真空鍍膜機的原理設置相同,在爐內設置一個熱源提供相應的加熱作業,但是因為蒸發源的面積不可能控制與基片的大小相同,在加熱時如果不對各區域進行獨立的溫度控制,受離子濺射的范圍影響,不能夠保證基片表面鍍膜均勻,整體溫度控制精度也無法提高,從而降低了整體的鍍膜效率。
實用新型內容
本實用新型的目的是為了解決現有技術中存在的缺點,而提出的一種用于鍍膜機的控溫裝置。
為了實現上述目的,本實用新型采用了如下技術方案:一種用于鍍膜機的控溫裝置,包括真空爐,所述真空爐的內部底表面設置有蒸發源,所述真空爐的一側內壁設置有第一加熱器,所述真空爐的另一側內壁設置有第二加熱器,所述真空爐的內部上側位置設置有第三加熱器,所述第一加熱器、第二加熱器和第三加熱器上均等距設置有多個加熱管,所述第三加熱器的下方設置有基片,所述真空爐的內壁對應基片的下表面后側設置有多個膜厚儀,所述真空爐的內部頂表面設置有溫度感應器,所述真空爐的外表面一側連接有控制器。
作為上述技術方案的進一步描述:
所述蒸發源固定連接在真空爐的內部底表面中間位置。
作為上述技術方案的進一步描述:
所述第一加熱器和第二加熱器在真空爐的內部兩側呈相對設置,所述第一加熱器和第二加熱器的上端面高于基片的底表面所在面。
作為上述技術方案的進一步描述:
所述加熱管在第一加熱器和第二加熱器上呈上下等距設置有多個,第一加熱器和第二加熱器上各所述加熱管的一端均對應連接有SCR,所述SCR對應與控制器連接。
作為上述技術方案的進一步描述:
所述第三加熱器的整體寬度設置大于基片的寬度,所述加熱管在第三加熱器上呈水平等距設置有多個,第三加熱器上各所述加熱管的連接結構與第一加熱器和第二加熱器上各加熱管的連接結構相同。
作為上述技術方案的進一步描述:
所述膜厚儀在真空爐的內壁上呈水平等距設置有多個,且各個膜厚儀與第三加熱器上的加熱管上下對應。
作為上述技術方案的進一步描述:
所述溫度感應器對應與控制器相連接,所述溫度感應器設置為PT100溫度傳感器。
本實用新型具有如下有益效果:
1、本實用新型用于鍍膜機的控溫裝置中,爐內兩側設置有第一加熱器和第二加熱器,基片上部設置有第三加熱器,加熱器由多根獨立的加熱管共同組成,從而實現不同區域的溫度獨立控制,配合膜厚儀檢測基片表面各位置鍍膜厚度實現相應區域的控制作業,保證基片表面鍍膜均勻。
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