[實用新型]真空磁控濺射鍍膜裝置

有效

• 申請號: 202022223691.5
• 申請日: 2020-09-30
• 公開（公告）號: CN213142171U
• 公開（公告）日: 2021-05-07
• 發明（設計）人: 金忠滿
• 申請（專利權）人: 樂金顯示光電科技（中國）有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 胡彬

本實用新型公開一種真空磁控濺射鍍膜裝置，包括真空室，真空室內設置加熱器，真空室的底部設置有冷凝組件，加熱器與冷凝組件之間設置能夠反射熱輻射的反射組件，反射組件包括基板和擋板，基板上開設有第一通孔，擋板設置在基板與加熱器之間，擋板與基板間隔，擋板的豎直方向的投影遮擋第一通孔，擋板與基板之間形成通道，通道與第一通孔連通，水蒸汽依次通過通道、第一通孔與冷凝組件進行熱交換。通過將基板和擋板間隔設置，二者之間可以形成通道，而基板上開設的第一通孔與通道連通，可以使反射組件上方的水蒸汽能夠盡可能多的進入到冷凝組件所在的區域，與冷凝組件充分進行熱交換，提升冷卻效果，保證鍍膜質量。

技術領域

本實用新型涉及真空鍍膜技術領域，尤其涉及一種真空磁控濺射鍍膜裝置。

背景技術

真空鍍膜技術作為一種產生特定膜層的技術，在現實生產生活中有著廣泛的應用。真空鍍膜技術有三種形式：磁控濺射鍍膜、蒸發鍍膜和離子鍍膜。

對于真空磁控濺射鍍膜，其工作原理為：電子在電場E的作用下，在飛向基片過程中與氬原子發生碰撞，使其電離產生出Ar正離子和新的電子，新的電子飛向極片，Ar正離子在電場作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜。

目前真空磁控濺射鍍膜裝置的真空室在鍍膜過程中會產生大量的水蒸汽，水蒸汽過多將會影響鍍膜效果，因此通常會在真空室的下方設置冷阱，冷阱對真空室內的水蒸汽進行冷卻，水蒸汽冷卻后形成冷凝水，冷凝水排出到真空室外。如圖1所示，真空室1′內的加熱器2′下方設置冷阱3′，冷阱3′與加熱器2′之間設置反射板4′，用于反射加熱器2′的熱輻射，保證冷阱3′內的冷卻板31′能夠正常地對水蒸汽進行冷卻，水蒸汽冷凝為水后從排水管(圖上未示出)排出到真空室1′的外部。現有設計存在以下缺陷：反射板4′是整體結構，水蒸汽(水蒸汽的運動方向如圖1箭頭所示)只能從真空室1′的內壁12′與反射板4′外邊緣之間的間隙5′進入到反射板4′下方的冷阱3′內，水蒸汽進入到冷阱3′內的量少，冷卻效果不佳。

實用新型內容

本實用新型的目的在于：提供一種真空磁控濺射鍍膜裝置，其內的水蒸汽的冷卻效果好，鍍膜質量高。

為達上述目的，本實用新型采用以下技術方案：

提供一種真空磁控濺射鍍膜裝置，包括真空室，所述真空室內設置加熱器，所述真空室的底部設置有冷凝組件，所述加熱器與所述冷凝組件之間設置能夠反射熱輻射的反射組件，所述反射組件包括基板和擋板，所述基板上開設有第一通孔，所述擋板設置在所述基板與所述加熱器之間，所述擋板與所述基板間隔，所述擋板的豎直方向的投影遮擋所述第一通孔，所述擋板與所述基板之間形成通道，所述通道與所述第一通孔連通，水蒸汽依次通過所述通道、所述第一通孔與所述冷凝組件進行熱交換。

作為真空磁控濺射鍍膜裝置的一種優選方案,所述擋板的尺寸大于所述第一通孔的尺寸。

作為真空磁控濺射鍍膜裝置的一種優選方案,所述基板上開設有多個所述第一通孔；

多個所述第一通孔通過至少一個所述擋板遮擋；或，對應每個所述第一通孔設置一個所述擋板。

作為真空磁控濺射鍍膜裝置的一種優選方案,所述擋板與所述基板之間設置支撐件，所述支撐件的兩端分別與所述擋板和所述基板連接。

作為真空磁控濺射鍍膜裝置的一種優選方案,所述支撐件包括支撐柱，所述支撐柱的兩端分別開設有螺紋孔，所述擋板和所述基板均開設有與所述螺紋孔對應的第二通孔，螺釘穿過所述第二通孔旋擰在所述螺紋孔內，以將所述擋板、所述支撐柱和所述基板三者連接在一起。

作為真空磁控濺射鍍膜裝置的一種優選方案,所述支撐件包括套筒和螺桿，所述套筒內設置有螺紋，所述螺桿的端部能夠旋擰到所述套筒內，所述套筒和所述螺桿中的一個與所述基板連接，所述套筒和所述螺桿中的另一個與所述擋板連接，所述螺桿能夠繞自身軸線轉動。