[實(shí)用新型]一種芯片上植球剪力測(cè)試模具

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202022179981.4
• 申請(qǐng)日: 2020-09-28
• 公開（公告）號(hào): CN213459653U
• 公開（公告）日: 2021-06-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 婁飛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南通市萬(wàn)泰精密模具有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67
• 代理公司: 蘇州瞪羚知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32438
• 代理人: 周治宇

本發(fā)明提供了一種芯片上植球剪力測(cè)試模具，包括：底座，螺接在測(cè)試設(shè)備上；測(cè)試平臺(tái)，設(shè)置在所述底座上，所述測(cè)試平臺(tái)的上表面設(shè)有至少兩個(gè)芯片凹槽，所述芯片凹槽的底部通過(guò)負(fù)壓口與所述測(cè)試平臺(tái)內(nèi)的真空管路連接。本發(fā)明的一種芯片上植球剪力測(cè)試模具，使用真空負(fù)壓模擬手工將所述芯片牢牢的固定在芯片凹槽內(nèi)，且一個(gè)測(cè)試平臺(tái)可以同時(shí)擺放多個(gè)芯片，使用所述測(cè)試治具可實(shí)現(xiàn)所述芯片上錫球檢測(cè)的機(jī)械化，大大提高了檢測(cè)效率，提高了勞動(dòng)生產(chǎn)率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及芯片檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種芯片上植球剪力測(cè)試模具。

背景技術(shù)

BGA植球工序后，通常需要錫球的抗剪性能進(jìn)行檢測(cè)，目前的檢測(cè)方法為人工逐個(gè)芯片手工檢測(cè)，檢測(cè)效率較低，檢測(cè)結(jié)果不準(zhǔn)確。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種芯片上植球剪力測(cè)試模具，將芯片擺放在測(cè)試平臺(tái)上，使用真空負(fù)壓模擬手工將所述芯片牢牢的固定在芯片凹槽內(nèi)，且一個(gè)測(cè)試平臺(tái)可以同時(shí)擺放多個(gè)芯片，使用所述測(cè)試治具可實(shí)現(xiàn)所述芯片上錫球檢測(cè)的機(jī)械化，大大提高了檢測(cè)效率，提高了勞動(dòng)生產(chǎn)率。

為了實(shí)現(xiàn)以上目的，本發(fā)明采取的一種技術(shù)方案是：

一種芯片上植球剪力測(cè)試模具，包括：底座，螺接在測(cè)試設(shè)備上；測(cè)試平臺(tái)，設(shè)置在所述底座上，所述測(cè)試平臺(tái)的上表面設(shè)有至少兩個(gè)芯片凹槽，所述芯片凹槽的底部通過(guò)負(fù)壓口與所述測(cè)試平臺(tái)內(nèi)的真空管路連接。

進(jìn)一步地，所述真空管路包括橫向管、縱向管以及豎向管，所述橫向管的軸線與所述縱向管的軸線在同一平面內(nèi)，所述豎向管的一端與所述橫向管同所述縱向管的交叉處連接，所述豎向管的另一端與所述負(fù)壓口連接。

進(jìn)一步地，所述測(cè)試平臺(tái)的側(cè)壁設(shè)有出氣孔，所述出氣孔的一端與所述真空管路連接，所述出氣孔的另一端穿過(guò)所述測(cè)試平臺(tái)的側(cè)壁與所述真空裝置連接。

進(jìn)一步地，所述出氣孔通過(guò)軟管與所述真空裝置連接。

進(jìn)一步地，所述測(cè)試平臺(tái)的上表面設(shè)置芯片限位條，所述芯片限位條設(shè)置在所述芯片凹槽的四周。

進(jìn)一步地，所述芯片凹槽的深度與所述芯片限位條的高度之和與所述芯片的厚度相同。

本發(fā)明的上述技術(shù)方案相比現(xiàn)有技術(shù)具有以下優(yōu)點(diǎn)：

本發(fā)明的一種芯片上植球剪力測(cè)試模具，將芯片擺放在測(cè)試平臺(tái)上，使用真空負(fù)壓模擬手工將所述芯片牢牢的固定在芯片凹槽內(nèi)，且一個(gè)測(cè)試平臺(tái)可以同時(shí)擺放多個(gè)芯片，使用所述測(cè)試治具可實(shí)現(xiàn)所述芯片上錫球檢測(cè)的機(jī)械化，大大提高了檢測(cè)效率，提高了勞動(dòng)生產(chǎn)率。

附圖說(shuō)明

下面結(jié)合附圖，通過(guò)對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式詳細(xì)描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其有益效果顯而易見。

圖1所示為本發(fā)明一實(shí)施例的一種芯片上植球剪力測(cè)試模具爆炸圖；

圖2所示為本發(fā)明一實(shí)施例的測(cè)試平臺(tái)透視圖；

圖3所示為本發(fā)明一實(shí)施例的測(cè)試平臺(tái)正視透視圖；

圖4所示圖3沿D-D方向的剖視圖；

圖5所示為本發(fā)明一實(shí)施例的測(cè)試平臺(tái)沿橫向管的軸線以及所述縱向管的軸線所在的平面的剖視圖。

圖中附圖標(biāo)記：

1底座、2測(cè)試平臺(tái)、21芯片凹槽、22負(fù)壓口、3真空管路、31橫向管、32縱向管、33豎向管、34出氣孔、35管口、4芯片限位條。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。