[實用新型]一種用于芯片錫膏厚度檢測的真空測厚平臺

有效

• 申請號: 202022174905.4
• 申請日: 2020-09-28
• 公開（公告）號: CN212991045U
• 公開（公告）日: 2021-04-16
• 發明（設計）人: 婁飛
• 申請（專利權）人: 南通市萬泰精密模具有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/683
• 代理公司: 蘇州瞪羚知識產權代理事務所(普通合伙) 32438
• 代理人: 周治宇

本實用新型提供了一種用于芯片錫膏厚度檢測的真空測厚平臺，包括：平臺本體；基板凹槽，設置在所述平臺本體的上表面，所述基板凹槽的底部設置若干個陣列排布的負壓吸口；真空管路，設置在所述平臺本體內，所述真空管路位于所述基板凹槽的下方，每個所述負壓吸口與所述真空管路連接，所述真空管路對外通過軟管與真空裝置連接。本實用新型的一種用于芯片錫膏厚度檢測的真空測厚平臺，真空裝置與所述平臺本體內的真空管路連接，可實現所述基板凹槽內底面的負壓吸口形成負壓，進而將容置在所述基板凹槽內的基板牢牢地吸附在所述基板凹槽內，進而將翹曲變形的基板展平，避免了基板翹曲變形產生的錫膏厚度測量不準的技術問題，提高了檢測精度。

技術領域

本實用新型涉及芯片檢測技術領域，具體涉及一種用于芯片錫膏厚度檢測的真空測厚平臺。

背景技術

因為電子器元件的粘附力目前難以測量，電子器元件通過錫膏粘附在芯片上表面，因此可通過錫膏的厚度預測下電子器元件的粘附狀況，現有錫膏測厚過程為，先測量電子器元件頂部離芯片上表面的總距離，后用總距離減去電子器元件的高度，獲得錫膏厚度。但是由于承載芯片的基板翹曲變形會影響測量的準確率，采用此方法獲得的錫膏厚度不準，無法確保電子器元件的粘附力。

實用新型內容

為了解決上述問題，本實用新型提供一種用于芯片錫膏厚度檢測的真空測厚平臺，真空裝置與所述平臺本體內的真空管路連接，可實現所述基板凹槽內底面的負壓吸口形成負壓，進而將容置在所述基板凹槽內的基板牢牢地吸附在所述基板凹槽內，進而將翹曲變形的基板展平，避免了基板翹曲變形產生的錫膏厚度測量不準的技術問題，提高了檢測精度。

為了實現以上目的，本實用新型采取的一種技術方案是：

一種用于芯片錫膏厚度檢測的真空測厚平臺，包括：平臺本體；基板凹槽，設置在所述平臺本體的上表面，所述基板凹槽的底部設置若干個陣列排布的負壓吸口；真空管路，設置在所述平臺本體內，所述真空管路位于所述基板凹槽的下方，每個所述負壓吸口與所述真空管路連接，所述真空管路對外通過軟管與真空裝置連接。

進一步地，所述負壓吸口通過豎向管道與所述真空管路連通，所述豎向管道的一端與所述負壓吸口連接，所述豎向管道的另一端與所述真空管路連接。

進一步地，所述真空管路包括真空管網以及至少一個獨立管道，所述真空管網包括若干相互連通的橫向管道以及縱向管道，所述獨立管道與所述橫向管道或所述縱向管道平行。

進一步地，所述負壓吸口位于所述橫向管道與所述縱向管道交叉位置的上方。

進一步地，所述平臺本體上設有第一出氣口，所述第一出氣口穿過所述平臺本體的側壁與所述真空管網連接。

進一步地，所述獨立管道位于所述基板凹槽的邊緣，所述獨立管道與所述基板凹槽邊緣的所述負壓吸口連通。

進一步地，所述平臺本體上設有第二出氣口，所述第二出氣口穿過所述平臺本體的側壁與所述獨立管道連通。

進一步地，所述平臺本體上設有四個手持凹槽，所述手持凹槽兩兩相對設于所述平臺本體的側壁上。

進一步地，所述橫向管道的軸線、所述縱向管道的軸線以及所述獨立向管道的軸線共面。

本實用新型的上述技術方案相比現有技術具有以下優點：

本實用新型的一種用于芯片錫膏厚度檢測的真空測厚平臺，真空裝置與所述平臺本體內的真空管路連接，可實現所述基板凹槽內底面的負壓吸口形成負壓，進而將容置在所述基板凹槽內的基板牢牢地吸附在所述基板凹槽內，進而將翹曲變形的基板展平，避免了基板翹曲變形產生的錫膏厚度測量不準的技術問題，提高了檢測精度。

附圖說明

下面結合附圖，通過對本實用新型的具體實施方式詳細描述，將使本實用新型的技術方案及其有益效果顯而易見。