[實(shí)用新型]一種用于芯片錫膏厚度檢測的真空測厚平臺

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202022174905.4
• 申請日: 2020-09-28
• 公開（公告）號: CN212991045U
• 公開（公告）日: 2021-04-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 婁飛
• 申請（專利權(quán)）人: 南通市萬泰精密模具有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/683
• 代理公司: 蘇州瞪羚知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32438
• 代理人: 周治宇

1.一種用于芯片錫膏厚度檢測的真空測厚平臺，其特征在于，包括：

平臺本體(1)；

基板凹槽(2)，設(shè)置在所述平臺本體(1)的上表面，所述基板凹槽(2)的底部設(shè)置若干個陣列排布的負(fù)壓吸口(21)；

真空管路，設(shè)置在所述平臺本體(1)內(nèi)，所述真空管路位于所述基板凹槽(2)的下方，每個所述負(fù)壓吸口(21)與所述真空管路連接，所述真空管路對外通過軟管與真空裝置連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于芯片錫膏厚度檢測的真空測厚平臺，其特征在于，所述負(fù)壓吸口(21)通過豎向管道與所述真空管路連通，所述豎向管道的一端與所述負(fù)壓吸口(21)連接，所述豎向管道的另一端與所述真空管路連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于芯片錫膏厚度檢測的真空測厚平臺，其特征在于，所述真空管路包括真空管網(wǎng)(31)以及至少一個獨(dú)立管道(32)，所述真空管網(wǎng)(31)包括若干相互連通的橫向管道(311)以及縱向管道(312)，所述獨(dú)立管道(32)與所述橫向管道(311)或所述縱向管道(312)平行。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于芯片錫膏厚度檢測的真空測厚平臺，其特征在于，所述負(fù)壓吸口(21)位于所述橫向管道(311)與所述縱向管道(312)交叉位置的上方。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于芯片錫膏厚度檢測的真空測厚平臺，其特征在于，所述平臺本體(1)上設(shè)有第一出氣口(11)，所述第一出氣口(11)穿過所述平臺本體(1)的側(cè)壁與所述真空管網(wǎng)(31)連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于芯片錫膏厚度檢測的真空測厚平臺，其特征在于，所述獨(dú)立管道(32)位于所述基板凹槽(2)的邊緣，所述獨(dú)立管道(32)與所述基板凹槽(2)邊緣的所述負(fù)壓吸口(21)連通。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于芯片錫膏厚度檢測的真空測厚平臺，其特征在于，所述平臺本體(1)上設(shè)有第二出氣口(12)，所述第二出氣口(12)穿過所述平臺本體(1)的側(cè)壁與所述獨(dú)立管道(32)連通。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于芯片錫膏厚度檢測的真空測厚平臺，其特征在于，所述平臺本體(1)上設(shè)有四個手持凹槽(13)，所述手持凹槽(13) 兩兩相對設(shè)于所述平臺本體(1)的側(cè)壁上。

9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于芯片錫膏厚度檢測的真空測厚平臺，其特征在于，所述橫向管道(311)的軸線、所述縱向管道(312)的軸線以及所述獨(dú)立管道(32)的軸線共面。