[實用新型]一種包含多種校準類型的晶圓標準樣板

有效

• 申請號: 202022169212.6
• 申請日: 2020-09-28
• 公開（公告）號: CN213750299U
• 公開（公告）日: 2021-07-20
• 發明（設計）人: 蔣莊德;張雅馨;王琛英;景蔚萱;林啟敬;張易軍;張亮亮;高崐;李磊;毛琦;王松;牛忠楠
• 申請（專利權）人: 西安交通大學
• 主分類號: G01R35/00
• 分類號: G01R35/00;G03F7/20
• 代理公司: 北京潤澤恒知識產權代理有限公司 11319
• 代理人: 茍冬梅

本申請實施例提供一種包含多種校準類型的晶圓標準樣板，屬于微納米級精密測量技術領域。包括：基底，所述基底上設置有指引區域與校準區域；所述指引區域包括：指引圖案與至少兩個凹坑；所述校準區域包括：與每個凹坑配套的標準樣板，所述標準樣板安裝于所述凹坑上；所述指引圖案設置于所述凹坑周圍，用于在測量儀器對所述標準樣板進行定位時，對所述測量儀器的定位起到指示作用。使用本申請提供的包含多種校準類型的晶圓標準樣板，可以在保證校準精度的同時，提高校準效率。

技術領域

本申請實施例涉及微納米級精密測量技術領域，具體而言，涉及一種包含多種校準類型的晶圓標準樣板。

背景技術

隨著微電子集成電路中結構變得越來越小，使用測量儀器精確地檢查和測量這些微小結構變得越來越難。在微電子集成電路產線中，通常使用具有自動裝載晶圓功能的測量儀器，來實時檢查測量微電子集成電路結構。為了防止干擾或磨損對測量儀器的影響，確保測量儀器的測量準確性，每隔一段時間需要使用標準樣板，來測試和校準這類測量儀器。

現有技術中，標準樣板上具有校準結構，通過校準結構來測試和校準測量儀器。一塊微納米幾何量標準樣板通常只包含一種類型或一種尺度的校準結構，也有通過同一種工藝在同一塊標準樣板上制備出的不同類型或尺度的校準結構。

然而在通過這些校準結構對測量儀器進行校準時，通常需要不同的校準結構來對測量儀器進行校準。若采用一塊標準樣板對應一種類型的校準結構的方式，則需要頻繁更換標準樣板來分別對測量儀器進行校準，降低了工作效率；若采用同一種工藝，在標準樣板上制備出的不同類型的校準結構，各個不同的校準結構會相互影響，降低了標準樣板精度。

實用新型內容

本申請實施例提供一種包含多種校準類型的晶圓標準樣板，旨在解決校準效率低，且使用同一工藝造成的校準結構精度低的問題。

本申請實施例提供一種包含多種校準類型的晶圓標準樣板，包括：基底，所述基底上設置有指引區域與校準區域；

所述指引區域包括：指引圖案與至少兩個凹坑；

所述校準區域包括：與每個凹坑配套的標準樣板，所述標準樣板安裝于所述凹坑上；

所述指引圖案設置于所述凹坑周圍，用于在測量儀器對所述標準樣板進行定位時，對所述測量儀器的定位起到指示作用。

可選地，所述不同的凹坑周圍設置不同的指引圖案。

可選地，所述凹坑的內側壁設置有若干抵觸部，所述若干抵觸部凸出于所述凹坑的內側壁，所述若干抵觸部遠離所述凹坑的內側壁的一端分別與所述標準樣板的側壁抵觸，以對所述標準樣板進行定位。

可選地，所述至少兩個凹坑內側壁未設置有所述抵觸部的位置，與所述標準樣板的側壁之間具有間隙。

可選地，所述凹坑的深度大于或等于所述標準樣板的厚度。

可選地，所述凹坑在所述基底上的分布方式根據所述凹坑的數量確定：

在所述凹坑的數量為兩個時，兩個所述凹坑對稱設置于所述基底的軸線上；

在所述凹坑的數量為三個時，三個所述凹坑分別等間隔分布于以所述基底中心點為中心的一等邊三角形的三個頂角處，或三個所述凹坑等間隔分布于所述基底的軸線上，其中，三個所述凹坑中的一個凹坑位于所述基底的中心處；

在所述凹坑的數量為四個時，所述凹坑分別等間隔地分布在以所述基底為中心的一正方形的四個頂角處；

在所述凹坑的數量為五個時，五個所述凹坑中的一個凹坑位于所述基底的中心處，五個所述凹坑中的四個凹坑等間隔均勻分布于所述一個凹坑的周圍。

可選地，所述基底上設置有樣板規格，所述樣板規格設置于所述標準樣板周圍，其中，不同的所述標準樣板對應不同的所述樣板規格。