[實用新型]一種鋰電池負(fù)極保護(hù)電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202022166686.5
• 申請日: 2020-09-27
• 公開（公告）號: CN213602424U
• 公開（公告）日: 2021-07-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 賀江平;王俊喜;孫曉良
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市思遠(yuǎn)半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H02J7/00
• 分類號: H02J7/00;H01M10/42
• 代理公司: 深圳君信誠知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44636
• 代理人: 薛吉林

本實用新型提供一種鋰電池負(fù)極保護(hù)電路，包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、三極管、第一電阻以及第二電阻，其中，第二NMOS管至第五NMOS管之間串聯(lián)連接并在串聯(lián)之后與第一NMOS管相互并聯(lián)，第一NMOS管的源極連接電源，第一NMOS管的漏極接地，三極管的發(fā)射極與第一NMOS管的源極連接并共同連接電源，三極管的集電極與第一NMOS管的漏極連接并共同接地，第一電阻與第三NMOS管相并聯(lián)，第四NMOS管、第五NMOS管之間串聯(lián)之后與第二電阻相并聯(lián)。本實用新型提供的技術(shù)方案能進(jìn)一步降低電池保護(hù)集成電路的設(shè)計成本，并提高保護(hù)電路的安全性及可靠性。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及一種鋰電池負(fù)極保護(hù)電路。

背景技術(shù)

目前，在便攜式應(yīng)用中，鋰離子電池供電非常廣泛。由于鋰離子電池存在穩(wěn)定性問題，因此普遍地將電池保護(hù)IC作為電池系統(tǒng)的保護(hù)電路。電池保護(hù)IC除提供電池過充和過放、充電和放電電流極限等保護(hù)外，還需要在電池和充電器的正反接時不損壞鋰電池及IC本身。

現(xiàn)有鋰電池負(fù)極保護(hù)IC常用的結(jié)構(gòu)包括單個功率NMOS結(jié)構(gòu)和雙功率NMOS結(jié)構(gòu)，現(xiàn)有的單個功率NMOS結(jié)構(gòu)只能在低壓下使用。由于電池充電器在VDD和VM之間出現(xiàn)插拔或觸碰時，VM電壓會出現(xiàn)瞬間高壓，可能會導(dǎo)致單個功率NMOS結(jié)構(gòu)的IC出現(xiàn)損壞；雙功率NMOS可以應(yīng)用在VM出現(xiàn)瞬間高壓的場景，但是使用雙功率NMOS的成本較高，芯片尺寸面積較大。

因此，如何降低電池保護(hù)集成電路的設(shè)計成本以及如何提高保護(hù)電路的安全性及可靠性一直就是業(yè)界亟需改進(jìn)的目標(biāo)。

實用新型內(nèi)容

有鑒于此，本實用新型的目的在于提供一種鋰電池負(fù)極保護(hù)電路，能降低電池保護(hù)集成電路的設(shè)計成本，并提高保護(hù)電路的安全性及可靠性。

本實用新型提出一種鋰電池負(fù)極保護(hù)電路，該電路包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、三極管、第一電阻以及第二電阻，其中，所述第二NMOS管、所述第三NMOS管、所述第四NMOS管、所述第五NMOS管之間串聯(lián)連接并在串聯(lián)之后與所述第一NMOS管相互并聯(lián)，所述第一NMOS管的源極連接電源，所述第一NMOS管的漏極接地，所述三極管的發(fā)射極與所述第一NMOS管的源極連接并共同連接所述電源，所述三極管的集電極與所述第一NMOS管的漏極連接并共同接地，所述第一電阻與所述第三NMOS管相并聯(lián)，所述第四NMOS管、所述第五NMOS管之間串聯(lián)之后與所述第二電阻相并聯(lián)。

優(yōu)選的，所述第一NMOS管的襯底與第一組兩個二極管的正極均相連，第一組兩個二極管的負(fù)極分別連接所述第一NMOS管的源極和所述第一NMOS管的漏極。

優(yōu)選的，所述第二NMOS管的源極連接所述電源，所述第二NMOS管的漏極連接所述第三NMOS管的源極，所述第三NMOS管的漏極連接所述第四NMOS管的源極，所述第四NMOS管的漏極連接所述第五NMOS管的源極，所述第五NMOS管的漏極連接所述第一NMOS管的漏極并共同接地，所述第一電阻的兩端分別連接所述第三NMOS管的源極和漏極，所述第二電阻的兩端分別連接所述第四NMOS管的源極和所述第五NMOS管的漏極，所述三極管的基極與所述所述第三NMOS管的源極相連。

優(yōu)選的，所述第二NMOS管的襯底與第二組兩個二極管的正極均相連，第二組兩個二極管的負(fù)極分別連接所述第二NMOS管的源極和所述第二NMOS管的漏極。

優(yōu)選的，所述第三NMOS管的襯底與第三組兩個二極管的正極均相連，第三組兩個二極管的負(fù)極分別連接所述第三NMOS管的源極和所述第三NMOS管的漏極。

優(yōu)選的，所述第四NMOS管的襯底與第四組兩個二極管的正極均相連，第四組兩個二極管的負(fù)極分別連接所述第四NMOS管的源極和所述第四NMOS管的漏極。