[實(shí)用新型]一種鋰電池負(fù)極保護(hù)電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202022166686.5
• 申請(qǐng)日: 2020-09-27
• 公開（公告）號(hào): CN213602424U
• 公開（公告）日: 2021-07-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 賀江平;王俊喜;孫曉良
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市思遠(yuǎn)半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H02J7/00
• 分類號(hào): H02J7/00;H01M10/42
• 代理公司: 深圳君信誠知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44636
• 代理人: 薛吉林

1.一種鋰電池負(fù)極保護(hù)電路，其特征在于，所述電路包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、三極管、第一電阻以及第二電阻，其中，所述第二NMOS管、所述第三NMOS管、所述第四NMOS管、所述第五NMOS管之間串聯(lián)連接并在串聯(lián)之后與所述第一NMOS管相互并聯(lián)，所述第一NMOS管的源極連接電源，所述第一NMOS管的漏極接地，所述三極管的發(fā)射極與所述第一NMOS管的源極連接并共同連接所述電源，所述三極管的集電極與所述第一NMOS管的漏極連接并共同接地，所述第一電阻與所述第三NMOS管相并聯(lián)，所述第四NMOS管、所述第五NMOS管之間串聯(lián)之后與所述第二電阻相并聯(lián)。

2.如權(quán)利要求1所述的鋰電池負(fù)極保護(hù)電路，其特征在于，所述第一NMOS管的襯底與第一組兩個(gè)二極管的正極均相連，第一組兩個(gè)二極管的負(fù)極分別連接所述第一NMOS管的源極和所述第一NMOS管的漏極。

3.如權(quán)利要求1所述的鋰電池負(fù)極保護(hù)電路，其特征在于，所述第二NMOS管的源極連接所述電源，所述第二NMOS管的漏極連接所述第三NMOS管的源極，所述第三NMOS管的漏極連接所述第四NMOS管的源極，所述第四NMOS管的漏極連接所述第五NMOS管的源極，所述第五NMOS管的漏極連接所述第一NMOS管的漏極并共同接地，所述第一電阻的兩端分別連接所述第三NMOS管的源極和漏極，所述第二電阻的兩端分別連接所述第四NMOS管的源極和所述第五NMOS管的漏極，所述三極管的基極與所述第三NMOS管的源極相連。

4.如權(quán)利要求1所述的鋰電池負(fù)極保護(hù)電路，其特征在于，所述第二NMOS管的襯底與第二組兩個(gè)二極管的正極均相連，第二組兩個(gè)二極管的負(fù)極分別連接所述第二NMOS管的源極和所述第二NMOS管的漏極。

5.如權(quán)利要求1所述的鋰電池負(fù)極保護(hù)電路，其特征在于，所述第三NMOS管的襯底與第三組兩個(gè)二極管的正極均相連，第三組兩個(gè)二極管的負(fù)極分別連接所述第三NMOS管的源極和所述第三NMOS管的漏極。

6.如權(quán)利要求1所述的鋰電池負(fù)極保護(hù)電路，其特征在于，所述第四NMOS管的襯底與第四組兩個(gè)二極管的正極均相連，第四組兩個(gè)二極管的負(fù)極分別連接所述第四NMOS管的源極和所述第四NMOS管的漏極。

7.如權(quán)利要求1所述的鋰電池負(fù)極保護(hù)電路，其特征在于，所述第五NMOS管的襯底與第五組兩個(gè)二極管的正極均相連，第五組兩個(gè)二極管的負(fù)極分別連接所述第五NMOS管的源極和所述第五NMOS管的漏極。

8.如權(quán)利要求1所述的鋰電池負(fù)極保護(hù)電路，其特征在于，所述第一NMOS管內(nèi)部結(jié)構(gòu)包括設(shè)置在最底層的深N阱、疊加在所述深N阱上并互相間隔的高壓P阱和兩個(gè)N阱、遠(yuǎn)離所述深N阱的P阱，所述高壓P阱疊加在所述深N阱上的中間位置，所述兩個(gè)N阱分別位于所述高壓P阱的兩側(cè)并分別疊加在所述深N阱上的邊緣位置，所述P阱與其中一個(gè)N阱相臨近。

9.如權(quán)利要求8所述的鋰電池負(fù)極保護(hù)電路，其特征在于，所述高壓P阱內(nèi)部包括一個(gè)P型襯底和位于所述P型襯底兩側(cè)的兩個(gè)摻雜區(qū)，所述P型襯底作為所述第一NMOS管的襯底，所述兩個(gè)摻雜區(qū)共同作為所述第一NMOS管的源極，所述兩個(gè)N阱共同作為所述第一NMOS管的漏極，所述N阱的摻雜區(qū)和所述高壓P阱的摻雜區(qū)共同作為所述第一NMOS管的柵極，遠(yuǎn)離所述深N阱的P阱接地。

10.如權(quán)利要求1所述的鋰電池負(fù)極保護(hù)電路，其特征在于，所述第二NMOS管、所述第三NMOS管、所述第四NMOS管、所述第五NMOS管中的任一個(gè)NMOS管內(nèi)部結(jié)構(gòu)均包括設(shè)置在最底層的深N阱、疊加在所述深N阱上并互相緊靠的P阱和兩個(gè)N阱、遠(yuǎn)離所述深N阱的P阱，疊加在所述深N阱上的P阱位于所述深N阱上的中間位置，所述兩個(gè)N阱分別位于所述深N阱上的邊緣位置。

11.如權(quán)利要求10所述的鋰電池負(fù)極保護(hù)電路，其特征在于，疊加在所述深N阱上的P阱內(nèi)部包括兩個(gè)P型襯底和兩個(gè)摻雜區(qū)，所述兩個(gè)P型襯底共同作為所述第二NMOS管的襯底，所述兩個(gè)摻雜區(qū)分別作為所述第二NMOS管的源極和漏極，在所述兩個(gè)摻雜區(qū)之間設(shè)置有所述第二NMOS管的柵極，遠(yuǎn)離所述深N阱的P阱接地。