[實用新型]一種芯片封裝體和電子裝置有效
| 申請號： | 202022150645.7 | 申請日： | 2020-09-25 |
| 公開（公告）號： | CN214313179U | 公開（公告）日： | 2021-09-28 |
| 發明（設計）人： | 霍佳仁;宋關強;江京;劉建輝 | 申請（專利權）人： | 天芯互聯科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/31 | 分類號： | H01L23/31;H01L23/495;H01L23/48;H01L21/56 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 李慶波 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 芯片 封裝 電子 裝置 | ||
1.一種芯片封裝體，其特征在于，所述芯片封裝體包括：
圖案化的金屬基材板；
芯片，設置在所述金屬基材板上；
第一絕緣層，覆蓋在所述芯片和所述金屬基材板上，其中，所述第一絕緣層中設置有通孔以裸露出部分的所述金屬基材板和所述芯片；
圖案化的第一導電層，設置在所述第一絕緣層上和所述通孔內，以使所述芯片藉由所述第一導電層而連接至所述金屬基材板。
2.根據權利要求1所述的芯片封裝體，其特征在于，
所述第一絕緣層與所述第一導電層重疊的部分之間還設置有圖案化的第二導電層，所述芯片藉由所述第一導電層連接至所述第二導電層和所述金屬基材板。
3.根據權利要求1所述的芯片封裝體，其特征在于，
所述金屬基材板與所述芯片重疊的部分之間還設置有第三導電層，所述芯片通過所述第三導電層與所述金屬基材板貼合。
4.根據權利要求1所述的芯片封裝體，其特征在于，
所述芯片封裝體還包括有導電金屬層，所述導電金屬層設置在所述金屬基材板遠離所述第一絕緣層的表面上。
5.根據權利要求1所述的芯片封裝體，其特征在于，
所述芯片封裝體還包括有第二絕緣層，所述第二絕緣層覆蓋在所述第一導電層和部分裸露的所述第一絕緣層上。
6.根據權利要求5所述的芯片封裝體，其特征在于，
所述第二絕緣層的導熱系數大于所述第一絕緣層的導熱系數。
7.根據權利要求1所述的芯片封裝體，其特征在于，
所述通孔面向所述金屬基材板一側的表面積小于遠離所述金屬基材板一側的表面積。
8.一種電子裝置，所述電子裝置包括如權利要求1-7任一項所述的芯片封裝體。
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