[實用新型]一種芯片封裝體和電子裝置

有效

• 申請號: 202022150645.7
• 申請日: 2020-09-25
• 公開（公告）號: CN214313179U
• 公開（公告）日: 2021-09-28
• 發明（設計）人: 霍佳仁;宋關強;江京;劉建輝
• 申請（專利權）人: 天芯互聯科技有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/495;H01L23/48;H01L21/56
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 李慶波

本申請公開了一種芯片封裝體和電子裝置，其中，該芯片封裝體包括：圖案化的金屬基材板；芯片，設置在金屬基材板上；第一絕緣層，覆蓋在芯片和金屬基材板上，其中，第一絕緣層中設置有通孔以裸露出部分的金屬基材板和芯片；圖案化的第一導電層，設置在第一絕緣層上和通孔內，以使芯片藉由第一導電層而連接至金屬基材板。通過上述方式，本申請中的芯片封裝體能夠實現芯片的雙面散熱，且結構較為簡單，電氣路徑和散熱路徑短，具有優異的低阻特性和散熱效果，能夠實現芯片封裝體的小型化和輕薄化。

技術領域

本申請涉及芯片封裝技術領域，尤其是涉及一種芯片封裝體和電子裝置。

背景技術

近年來隨著Mosfet(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管)、 IGBT(Insulated GateBipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管)功率模塊幾乎被應用于所有的功率工業產品中，相應的功率器件也朝著高性能、快速度、小體積及多芯片連接封裝的方向穩步發展。

然而，傳統的wire bonding(半導體鍵合金線)及雙面銅互聯工藝及制程方法卻漸漸地難以滿足功率器件為實現高性能、快速度、小體積、多芯片連接封裝及模塊化的要求。功率半導體封裝工藝需要向更加優異的PLFO(Pane level Fan out，片狀等級散出封裝技術)工藝封裝方式的方向發展。

發明內容

本申請提供了一種芯片封裝體和電子裝置，以解決現有技術中的芯片封裝體無法實現小型化、輕薄化以及優異的電氣和散熱特性的技術效果的問題。

為解決上述技術問題，本申請采用的一個技術方案是：提供一種芯片封裝體，其中，該芯片封裝體包括：圖案化的金屬基材板；芯片，設置在金屬基材板上；第一絕緣層，覆蓋在芯片和金屬基材板上，其中，第一絕緣層中設置有通孔以裸露出部分的金屬基材板和芯片；圖案化的第一導電層，設置在第一絕緣層上和通孔內，以使芯片藉由第一導電層而連接至金屬基材板。

其中，第一絕緣層與第一導電層重疊的部分之間還設置有圖案化的第二導電層，芯片藉由第一導電層連接至第二導電層和金屬基材板。

其中，金屬基材板與芯片重疊的部分之間還設置有第三導電層，芯片通過第三導電層與金屬基材板貼合。

其中，芯片封裝體還包括有導電金屬層，導電金屬層設置在金屬基材板遠離第一絕緣層的表面上。

其中，芯片封裝體還包括有第二絕緣層，第二絕緣層覆蓋在第一導電層和部分裸露的第一絕緣層上。

其中，第二絕緣層的導熱系數大于第一絕緣層的導熱系數。

其中，通孔面向金屬基材板一側的表面積小于遠離金屬基材板一側的表面積。

為解決上述技術問題，本申請采用的又一個技術方案是：提供一種電子裝置，其中，該電子裝置包括如上任一項所述的芯片封裝體。

本申請的有益效果是：區別于現有技術的情況，本申請中的芯片封裝體包括：圖案化的金屬基材板；芯片，設置在金屬基材板上；第一絕緣層，覆蓋在芯片和金屬基材板上，其中，第一絕緣層中設置有通孔以裸露出部分的金屬基材板和芯片；圖案化的第一導電層，設置在第一絕緣層上和通孔內，以使芯片藉由第一導電層而連接至金屬基材板。通過上述方式，本申請中的芯片封裝體能夠實現芯片的雙面散熱，且結構較為簡單，電氣路徑和散熱路徑短，具有優異的低阻特性和散熱效果，能夠實現芯片封裝體的小型化和輕薄化。

附圖說明

為了更清楚地說明本申請實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本申請的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖，其中：