[實(shí)用新型]一種多反應(yīng)室CVD爐有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202022133660.0 | 申請日: | 2020-09-25 |
| 公開(公告)號: | CN213447294U | 公開(公告)日: | 2021-06-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 劉汝強(qiáng);吳思華;張峰;王殿春;周清波 | 申請(專利權(quán))人: | 山東國晶新材料有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/26 | 分類號: | C23C16/26;C23C16/44;C23C16/458 |
| 代理公司: | 濟(jì)南金迪知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 37219 | 代理人: | 趙龍群 |
| 地址: | 251200 山*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 反應(yīng) cvd | ||
1.一種多反應(yīng)室的CVD爐,其特征在于,包括套筒A、套筒B、產(chǎn)品盤、散氣盤、隔板、石墨進(jìn)氣管和傳動裝置,其中,套筒A底部密封,套筒A頂部設(shè)置散氣盤,套筒A中間位置設(shè)置隔板,隔板上方為上反應(yīng)室,隔板下方為下反應(yīng)室,隔板上方和套筒A底部上方分別設(shè)置套筒B,套筒B緊貼套筒A,產(chǎn)品盤放置于套筒B上方,石墨進(jìn)氣管上端貫穿套筒A、隔板和產(chǎn)品盤的中心位置,下端設(shè)置于套筒A外側(cè),石墨進(jìn)氣管上設(shè)置出氣孔,石墨進(jìn)氣管下端設(shè)置不銹鋼管,不銹鋼管通過軸承密封連接進(jìn)氣管道,石墨進(jìn)氣管下端連接傳動裝置。
2.如權(quán)利要求1所述的多反應(yīng)室的CVD爐,其特征在于,傳動裝置包括減速機(jī)、齒輪A、齒輪B和傳動鏈條,齒輪A套裝于不銹鋼管外側(cè),減速機(jī)輸出軸上設(shè)置齒輪B,齒輪A和齒輪B通過傳動鏈條連接。
3.如權(quán)利要求1所述的多反應(yīng)室的CVD爐,其特征在于,散氣盤上設(shè)置散氣孔A,隔板下方處的套筒A上設(shè)置散氣孔B。
4.如權(quán)利要求3所述的多反應(yīng)室的CVD爐,其特征在于,散氣盤厚度為10-20cm,散氣孔A直徑為5-15mm,散氣孔B直徑為5-15mm。
5.如權(quán)利要求1所述的多反應(yīng)室的CVD爐,其特征在于,出氣孔設(shè)置于隔板下方的石墨進(jìn)氣管上。
6.如權(quán)利要求1所述的多反應(yīng)室的CVD爐,其特征在于,上反應(yīng)室直徑為20-40cm,高度為30-50cm,下反應(yīng)室直徑為20-40cm,高度為30-50cm。
7.如權(quán)利要求1所述的多反應(yīng)室的CVD爐,其特征在于,石墨進(jìn)氣管直徑為20-80mm。
8.如權(quán)利要求1所述的多反應(yīng)室的CVD爐,其特征在于,出氣孔與水平面的角度為30-60°,出氣孔直徑為5-15mm。
9.如權(quán)利要求2所述的多反應(yīng)室的CVD爐,其特征在于,石墨進(jìn)氣管轉(zhuǎn)速為0.2-3r/min。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的





