[實用新型]一種溝槽MOSFET結構有效
| 申請號： | 202022101136.5 | 申請日： | 2020-09-22 |
| 公開（公告）號： | CN213026140U | 公開（公告）日： | 2021-04-20 |
| 發明（設計）人： | 潘光燃;胡瞳騰 | 申請（專利權）人： | 深圳市芯電元科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/786 | 分類號： | H01L29/786;H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳市中融創智專利代理事務所(普通合伙) 44589 | 代理人： | 葉垚平;李立 |
| 地址： | 518049 廣東省深圳市福田區梅林*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 溝槽 mosfet 結構 | ||
1.一種溝槽MOSFET結構，其特征在于：包括襯底和外延層，所述外延層設置在所述襯底上，所述外延層上設置有溝槽、柵氧化層和多晶硅，所述柵氧化層設置在所述溝槽的表面，所述多晶硅設置在所述柵氧化層的表面且所述多晶硅填充溝槽，所述外延層的表層設置有第一摻雜區和第二摻雜區，所述第二摻雜區設置在所述溝槽的外表面，所述第一摻雜區與柵氧化層的間隔距離等于第二摻雜區的寬度，所述第二摻雜區的摻雜濃度小于所述第一摻雜區的摻雜濃度。
2.根據權利要求1所述的溝槽MOSFET結構，其特征在于：所述外延層的表層設置有第三摻雜區，所述第三摻雜區的深度小于所述第一摻雜區的深度，所述第三摻雜區的深度小于所述第二摻雜區的深度。
3.根據權利要求2所述的溝槽MOSFET結構，其特征在于：所述襯底的下表層為MOSFET的漏，所述多晶硅為MOSFET的柵，所述第三摻雜區為MOSFET的源區，所述第一摻雜區和所述第二摻雜區構成MOSFET的體區。
4.根據權利要求3所述的溝槽MOSFET結構，其特征在于：所述襯底為N型襯底，所述外延層為N型外延層，所述第一摻雜區為第一P型摻雜區，所述第二摻雜區為第二P型摻雜區，所述第三摻雜區為N型摻雜區。
5.根據權利要求3所述的溝槽MOSFET結構，其特征在于：所述襯底為P型襯底，所述外延層為P型外延層，所述第一摻雜區為第一N型摻雜區，所述第二摻雜區為第二N型摻雜區，所述第三摻雜區為P型摻雜區。
6.根據權利要求3所述的溝槽MOSFET結構，其特征在于：所述溝槽的深度小于所述外延層的厚度。
7.根據權利要求6所述的溝槽MOSFET結構，其特征在于：所述第一摻雜區的深度、第二摻雜區的深度小于所述溝槽的深度。
8.根據權利要求7所述的溝槽MOSFET結構，其特征在于：所述第二摻雜區的寬度為0.2-0.5微米。
9.根據權利要求8所述的溝槽MOSFET結構，其特征在于：所述第三摻雜區的深度為0.15-0.4微米。
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