[實用新型]一種多層MEMS結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202022100291.5
• 申請日: 2020-09-22
• 公開（公告）號: CN212982461U
• 公開（公告）日: 2021-04-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳炫燁;關(guān)一民
• 申請（專利權(quán)）人: 上海新微技術(shù)研發(fā)中心有限公司
• 主分類號: B81B7/02
• 分類號: B81B7/02;B81C1/00
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219
• 代理人: 劉星

本實用新型提供一種多層MEMS結(jié)構(gòu)，該MEMS結(jié)構(gòu)包括自下而上依次堆疊于襯底上的至少兩層光敏干膜，所述光敏干膜中設(shè)有空腔。本實用新型使用至少兩層光敏干膜實現(xiàn)多層MEMS結(jié)構(gòu)，各層結(jié)構(gòu)更為平整，曝光更加均勻，可以減小結(jié)構(gòu)誤差，從而提高多層MEMS結(jié)構(gòu)制造的良率。該多層MEMS結(jié)構(gòu)可應(yīng)用于多種微結(jié)構(gòu)，包括但不限于納米孔測序芯片。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型屬于微機電系統(tǒng)(MEMS)器件加工技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種多層MEMS結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

微機電系統(tǒng)(Micro Electro Mechanical Systems，簡稱MEMS)器件具有微型化、智能化、多功能、高集成度和適于大批量生產(chǎn)的特點，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)一般在微米甚至納米量級，需要超精密機械加工，若結(jié)構(gòu)誤差較大，將對器件性能產(chǎn)生不良影響。

實用新型內(nèi)容

鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點，本實用新型的目的在于提供一種多層MEMS結(jié)構(gòu)，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中MEMS結(jié)構(gòu)誤差較大的問題。

為實現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本實用新型提供一種一種多層MEMS結(jié)構(gòu)，包括：

襯底；

至少兩層光敏干膜，自下而上依次堆疊于所述襯底上，所述光敏干膜中設(shè)有空腔。

可選地，所述光敏干膜的厚度范圍是5微米～1000微米。

可選地，相鄰兩層所述光敏干膜中的所述空腔連通。

可選地，相鄰兩層所述光敏干膜中的所述空腔的開口面積不同。

可選地，所述襯底表面設(shè)有電極層，位于底層的所述光敏干膜中的所述空腔暴露出所述電極層。

如上所述，本實用新型的多層MEMS結(jié)構(gòu)使用至少兩層光敏干膜實現(xiàn)多層MEMS結(jié)構(gòu)，各層結(jié)構(gòu)更為平整，曝光更加均勻，可以減小結(jié)構(gòu)誤差，從而提高多層MEMS結(jié)構(gòu)制造的良率。該多層MEMS結(jié)構(gòu)可應(yīng)用于多種微結(jié)構(gòu)，包括但不限于納米孔測序芯片。

附圖說明

圖1顯示為一種多層MEMS結(jié)構(gòu)的制作方法的工藝流程圖。

圖2顯示為執(zhí)行第一次覆膜及圖形化步驟的示意圖。

圖3顯示為執(zhí)行第二次覆膜及圖形化步驟的示意圖。

圖4顯示為圖3所示結(jié)構(gòu)的俯視圖。

圖5顯示為另一實施例中制作的多層MEMS結(jié)構(gòu)的剖面圖。

圖6顯示為圖5所示結(jié)構(gòu)的俯視圖。

圖7顯示為一種多層MEMS結(jié)構(gòu)的設(shè)計及制作流程圖。

圖8顯示為一種采用所述多層MEMS結(jié)構(gòu)作為支撐結(jié)構(gòu)的納米孔測序芯片的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

元件標號說明

S1～S2 步驟

1 襯底

2 第一光敏干膜

3 第一空腔

4 第二光敏干膜

401 懸空部分

5 第二空腔

6 磷脂層