[實用新型]一種碳化硅外延反應室側壁部件

有效

• 申請號: 202022031451.5
• 申請日: 2020-09-16
• 公開（公告）號: CN213624470U
• 公開（公告）日: 2021-07-06
• 發明（設計）人: 李凱希;馮淦;趙建輝
• 申請（專利權）人: 瀚天天成電子科技（廈門）有限公司
• 主分類號: C30B25/08
• 分類號: C30B25/08;C30B29/36
• 代理公司: 廈門市精誠新創知識產權代理有限公司 35218
• 代理人: 黃斌

本實用新型涉及一種碳化硅外延反應室側壁部件，包括分別安裝于碳化硅外延反應室相對兩側壁上且鏡像設置的兩側壁擋板，其特征在于：所述側壁擋板由至少兩拼接件沿前后方向拼接而成，每一拼接件的前端和/或后端上具有與相鄰拼接件進行拼接的拼接部，且每一側壁擋板的所有拼接件相互拼接后形成沿前后方向延伸、且連續的內壁面，已解決現有側壁部件更換成本高的問題。

技術領域

本實用新型涉及碳化硅外延反應室領域，具體是涉及一種碳化硅外延反應室側壁部件。

背景技術

碳化硅半導體具有大禁帶寬度、優良的穩定性、高熱導率、高臨界擊穿場強、高飽和電子漂移速度等優良特性，是制作高溫、高頻、大功率和強輻射電力電子器件的理想半導體材料。用于制作碳化硅器件的碳化硅材料通常是生長在碳化硅襯底上的碳化硅外延晶片。

碳化硅外延生長已經實現了商業化，通常采用CVD(化學氣相沉積)的方法來生長碳化硅外延晶片。目前商業化的外延爐，大部分為水平型反應室外延爐。在使用LPE PE106外延爐進行碳化硅外延生長過程中，反應室內左右兩側的側壁部件靠近源氣進氣口的一端表面容易附著上一些反應產物，隨著生長數量的增加，側壁部件前端厚度越來越厚，從而影響碳化硅外延生長的質量，定期更換側壁部件為現階段的解決方式。而由于現有的側壁部件為整體式結構，在生產過程中，側壁部件前端的反應產物堆積達到一定厚度時，后端幾乎沒有附著反應產物，但需要整體進行更換，這不利于成本的控制。

實用新型內容

本實用新型旨在提供一種碳化硅外延反應室側壁部件，以解決現有側壁部件更換成本高的問題。

具體方案如下：

一種碳化硅外延反應室側壁部件，包括分別安裝于碳化硅外延反應室相對兩側壁上且鏡像設置的兩側壁擋板，所述側壁擋板由至少兩拼接件沿前后方向拼接而成，每一拼接件的前端和/或后端上具有與相鄰拼接件進行拼接的拼接部，且每一側壁擋板的所有拼接件相互拼接后形成沿前后方向延伸、且連續的內壁面。

進一步的，所述側壁擋板由兩個拼接件拼接而成，靠近源氣進氣口一側的拼接件定義為前拼接件，另一拼接件定義為后拼接件，該前拼接件的后端設置有一前拼接部，后拼接件的前端設置有與前拼接件的前接部相匹配設置的后拼接部，前拼接件的前拼接部和后拼接件的后拼接部在前后方向上互補設置。

進一步的，所述側壁擋板由三個拼接件拼接而成，靠近源氣進氣口一側的拼接件定義為前拼接件，遠離源氣進氣口一側的拼接件定義為后拼接件，位于中間的拼接件定義為中拼接件，其中前拼接件的后端設置有一前拼接部，后拼接件的前端設置有一后拼接部，中拼接件的前端設置有前拼接件的前拼接部相匹配設置的第一拼接部，中拼接件的后端設置有后拼接件的后拼接部相匹配設置的第二拼接部，前拼接件的前拼接部和中拼接件的第一拼接部在前后方向上互補設置、后拼接件的后拼接部和中拼接件的第二拼接部在前后方向上互補設置。

進一步的，相鄰兩拼接件之間拼接部為互補的臺階結構，且靠近前端拼接件的拼接部內壁面填充靠近后端拼接件的缺口處。

進一步的，所述側壁擋板由2～4個拼接件拼接而成。

進一步的，所述側壁擋板的內壁面沿前后方向依序分為前內壁面和后內壁面，其中兩側壁擋板的前內壁面之間的間距從前往后依序減小設置，兩側壁擋板的后內壁面之間的間距從前往后等距設置。

進一步的，所述側壁擋板前內壁面的上下兩端部與所述側壁擋板后內壁面的上下兩端部等厚設置。

本實用新型提供的碳化硅外延反應室側壁部件與現有技術相比較具有以下優點：本實用新型提供的碳化硅外延反應室側壁部件根據側壁部件實際容易附著碳化硅外延反應產物的位置、區域大小將現有整體的側壁部件設計為兩個甚至多個部件，在維護時僅需將反應產物堆積達到一定厚度的拼接件進行更換，而保留無反應產物堆積或者反應產物堆積少的其它拼接件，大大降低了更換配件的成本。

附圖說明