[實用新型]一種高致密氧化鋯陶瓷背板結構

有效

• 申請號: 202021982647.6
• 申請日: 2020-09-11
• 公開（公告）號: CN213506607U
• 公開（公告）日: 2021-06-22
• 發明（設計）人: 劉環裕;王珂瑋;陳曦;鄭東海
• 申請（專利權）人: 東莞理工學院;廣東天機工業智能系統有限公司
• 主分類號: C04B35/48
• 分類號: C04B35/48;C04B35/10;C04B35/195;B28B13/02;B28B3/00;H04M1/02
• 代理公司: 廣東勤諾律師事務所 44595
• 代理人: 張雪華

本實用新型公開了一種高致密氧化鋯陶瓷背板結構，包括氧化鋯本體層，氧化鋯本體層為若干層的層疊結構，相鄰的氧化鋯本體層之間設置有氧化鋁相變層，氧化鋯本體層與氧化鋁相變層之間設置有硅酸鋁鎂連接層。本實用新型的高致密氧化鋯陶瓷背板結構具有致密性高、可加工性強和綜合性能優異的特點。

技術領域

本實用新型涉及手機陶瓷背板技術領域，具體是指一種高致密氧化鋯陶瓷背板結構。

背景技術

隨著科技的飛速發展，人們對電子產品的要求也越來越高，其中消費者對手機背板質量和外觀的要求也越來越髙，由于氧化鋯陶瓷具有耐磨性好、硬度髙、散熱性強、穿透力強等特點，因而受到制造商們的青睞。但是，目前的氧化鋯陶瓷背板在加工過程中，存在致密性一般的缺陷，球閉氣孔較多，拋光后表面很多坑，嚴重影響了其的加工性，限制了其的應用。

實用新型內容

本實用新型的目的是提供一種高致密氧化鋯陶瓷背板結構，具有致密性高、可加工性強和綜合性能優異的特點。

本實用新型可以通過以下技術方案來實現：

本實用新型公開了一種高致密氧化鋯陶瓷背板結構，包括氧化鋯本體層，氧化鋯本體層為若干層的層疊結構，相鄰的氧化鋯本體層之間設置有氧化鋁相變層，氧化鋯本體層與氧化鋁相變層之間設置有硅酸鋁鎂連接層。

本實用新型的氧化鋯陶瓷背板的制備方法包括以下步驟：

S1、氧化鋯漿料的制備：在納米氧化鋯粉體加入分散劑、粘結劑和潤滑劑，攪拌均勻，得到氧化鋯漿料；

S2、硅酸鋁鎂漿料的制備：在偏硅酸鋁鎂顆粒中，加入聚乙烯醇，攪拌均勻，得到硅酸鋁鎂漿料；

S3、氧化鋁漿料的制備：把鋁溶膠、氧化鋁、轉化礦化劑在攪拌的情況下溶解在水中并充分混合,得到漿料：

S4、層疊成型：分別把氧化鋯漿料、硅酸鋁鎂漿料、氧化鋁漿料注射到模具中，不同漿料呈層疊分布，氧化鋯漿料設置為若干層，相鄰氧化鋯漿料之間設置有氧化鋁漿料，氧化鋯漿料與氧化鋁漿料之間設置有硅酸鋁鎂漿料，于150～250MPa壓力下模壓成型得到坯料；

S5、高溫燒結：把模壓成型得到的坯料進行脫脂高溫燒結處理，即可得到高致密氧化鋯陶瓷。

進一步地，在步驟S4高溫燒結后，氧化鋯漿料形成氧化鋯本體層，氧化鋁漿料形成氧化鋁相變層，硅酸鋁鎂漿料形成硅酸鋁鎂連接層。

進一步地，在步驟S1的氧化鋯漿料中，納米氧化鋯粉體、分散劑、粘結劑、潤滑劑的質量配比為40～70:10～20:5～8:3～7。采用現有技術常規分散工藝，降低加工難度。

進一步地，在步驟S3的氧化鋁漿料中，鋁溶膠、氧化鋁、轉化礦化劑的質量配比為10～20:30～50:3～5，金屬鋁與氧化鋁形成固溶體，有效形成豐富的晶界，降低燒結難度，有效促進氧化鋯陶瓷的致密化過程。

進一步地，在步驟S5中，高溫燒結的工藝為：燒結溫度為1400～1600℃、保溫時間為1-2h,升溫速率為5～30℃/min、燒結完成后自然冷卻。

進一步地，在氧化鋁漿料中，氧化鋁為α-Al₂O₃、γ-Al₂O₃、β-Al₂O₃、δ-Al₂O₃、η-Al₂O₃、θ-Al₂O₃、κ-Al₂O₃、ρ-Al₂O₃、χ-Al₂O₃中的兩種或兩種以上；轉化礦化劑為氯化亞鈰、氟化鋁和硼酸中的一種或兩種以上，可以根據實際靈活選擇，發揮多晶界優勢，加速致密化過程。