[實(shí)用新型]功率放大芯片和功率放大電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202021981732.0
• 申請日: 2020-09-11
• 公開（公告）號: CN212785274U
• 公開（公告）日: 2021-03-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉鑫;閻述昱
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H03F3/21
• 分類號: H03F3/21;H03F3/24
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

1.一種功率放大芯片，其特征在于，所述芯片包括第一級放大電路和至少一個(gè)第二級放大電路，所述第一級放大電路與所述第二級放大電路在所述芯片內(nèi)部絕緣設(shè)置；

所述第一級放大電路與所述第二級放大電路用于通過至少一個(gè)位于所述芯片外部的外部相移單元在合路點(diǎn)處合路，所述第一級放大電路包括第一放大級和第一相移單元，所述第二級放大電路包括第二放大級和第二相移單元，所述第一放大級與所述合路點(diǎn)之間相位延遲為第一相位延遲，所述第二放大級與所述合路點(diǎn)之間的相位延遲為第二相位延遲；

所述第一相移單元的相移值小于所述第一相位延遲，和/或，所述第二相移單元的相移值小于所述第二相位延遲。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率放大芯片，其特征在于，所述第一相移單元的相移值小于所述第一相位延遲，每個(gè)所述第二級放大電路用于在位于所述芯片外部的第二放大級合路點(diǎn)合路后，與所述第一級放大電路在所述合路點(diǎn)處合路；

所述第二放大級與所述第二放大級合路點(diǎn)之間的相位延遲為第三相位延遲，所述第二相移單元的相移值小于所述第三相位延遲。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率放大芯片，其特征在于，所述至少一個(gè)第二級放大電路包括第一第二級放大電路和第二第二級放大電路；

所述第一第二級放大電路包括第一個(gè)第二相移單元，所述第二第二級放大電路包括第二個(gè)第二相移單元；

所述第一相移單元、所述第一個(gè)第二相移單元及所述第二個(gè)第二相移單元的相移值相等。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的功率放大芯片，其特征在于，

所述第一相移單元的相移值為45度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率放大芯片，其特征在于，所述第一相移單元為微帶線，和/或，所述第二相移單元為微帶線。

6.一種功率放大電路，其特征在于，包括權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的功率放大芯片和外部相移電路；所述外部相移電路包括所述外部相移單元；

所述外部相移電路的第一連接端與所述第一級放大電路電連接，所述外部相移電路的至少一個(gè)第二連接端與所述至少一個(gè)第二級放大電路一一對應(yīng)電連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的功率放大電路，其特征在于，所述至少一個(gè)第二級放大電路包括第一第二級放大電路和第二第二級放大電路；所述第一第二級放大電路包括第一第二放大級第一個(gè)第二相移單元，所述第二第二級放大電路包括第二第二放大級和第二個(gè)第二相移單元；

所述外部相移電路包括第一外部相移單元、第二外部相移單元、第三外部相移單元和第四外部相移單元；

所述第一相移單元的第一端與所述第一放大級電連接，所述第一相移單元的第二端與所述第一外部相移單元的第一端電連接，所述第一外部相移單元的第二端與所述合路點(diǎn)電連接；

所述第一個(gè)第二相移單元的第一端與所述第一第二放大級電連接，所述第一個(gè)第二相移單元的第二端與所述第二外部相移單元電連接，所述第二外部相移單元的第二端與所述第四外部相移單元的第一端電連接；

所述第二個(gè)第二相移單元的第一端與所述第二第二放大級電連接，所述第二個(gè)第二相移單元的第二端與所述第三外部相移單元電連接，所述第三外部相移單元的第二端與所述第四外部相移單元的第一端電連接；

所述第四外部相移單元的第二端與所述合路點(diǎn)電連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的功率放大電路，其特征在于，所述第一相移單元的相移值為45度，所述第一個(gè)第二相移單元的相移值為45度，所述第二個(gè)第二相移單元的相移值為45度，所述第一外部相移單元的相移值為45度，所述第二外部相移單元的相移值為45度，所述第三外部相移單元的相移值為135度，所述第四外部相移單元的相移值為90度。