[實用新型]一種半導體刻蝕設備

有效

• 申請號: 202021909862.3
• 申請日: 2020-09-03
• 公開（公告）號: CN212676226U
• 公開（公告）日: 2021-03-09
• 發明（設計）人: 謝海波;梁玲;張志雄;李剛
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李曉光

本實用新型提供了一種半導體刻蝕設備，包括：至少一個裝卸室和抽氣泵；所述裝卸室的抽氣口和所述抽氣泵的進氣口通過管道連接；每一個所述裝卸室和所述抽氣泵之間的管道上分別設置有氣流控制裝置，用于防止氣體反灌至所述裝卸室。也就是說，該半導體刻蝕設備在解決了氣體反灌問題的情況下，實現了同時對至少一個裝卸室同時進行抽真空處理，其抽真空方式的效率較高，進而極大程度的提高了半導體刻蝕設備的產能。

技術領域

本實用新型涉及半導體工藝技術領域，更具體地說，涉及一種半導體刻蝕設備。

背景技術

隨著科學技術的不斷發展，半導體刻蝕設備已廣泛應用于各種各樣的制造業中，為人們的生活和工作帶來了極大的便利。

但是，目前半導體刻蝕設備中，裝卸室的抽真空方式效率較低，且會存在氣體反灌的問題，進而極大程度的降低了半導體刻蝕設備的產能。

實用新型內容

有鑒于此，為解決上述問題，本實用新型提供一種半導體刻蝕設備，技術方案如下：

一種半導體刻蝕設備，所述半導體刻蝕設備包括：至少一個裝卸室和抽氣泵；

所述裝卸室的抽氣口和所述抽氣泵的進氣口通過管道連接；

每一個所述裝卸室和所述抽氣泵之間的管道上分別設置有氣流控制裝置，用于防止氣體反灌至所述裝卸室。

可選的，在上述半導體刻蝕設備中，所述裝卸室的數量為兩個；

其中一個所述裝卸室的抽氣口與所述管道的第一端口連接，另一個所述裝卸室的抽氣口與所述管道的第二端口連接，所述抽氣泵的進氣口與所述管道的第三端口連接。

可選的，在上述半導體刻蝕設備中，所述管道為一體化管道；

所述管道的端口數量與所述裝卸室和所述抽氣泵的個數總和相同。

可選的，在上述半導體刻蝕設備中，所述氣流控制裝置為單向閥。

可選的，在上述半導體刻蝕設備中，所述抽氣泵為干泵。

可選的，在上述半導體刻蝕設備中，所述半導體刻蝕設備還包括：

設置在所述裝卸室內的壓力傳感器。

可選的，在上述半導體刻蝕設備中，所述壓力傳感器為真空壓力傳感器。

相較于現有技術，本實用新型實現的有益效果為：

本實用新型提供的一種半導體刻蝕設備包括：至少一個裝卸室和抽氣泵；所述裝卸室的抽氣口和所述抽氣泵的進氣口通過管道連接；每一個所述裝卸室和所述抽氣泵之間的管道上分別設置有氣流控制裝置，用于防止氣體反灌至所述裝卸室。也就是說，該半導體刻蝕設備在解決了氣體反灌問題的情況下，實現了同時對至少一個裝卸室同時進行抽真空處理，其抽真空方式的效率較高，進而極大程度的提高了半導體刻蝕設備的產能。

附圖說明

為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據提供的附圖獲得其他的附圖。

圖1為本實用新型實施例提供的一種半導體刻蝕設備的局部結構示意圖；

圖2為本實用新型實施例提供的另一種半導體刻蝕設備的局部結構示意圖；

圖3為本實用新型實施例提供的又一種半導體刻蝕設備的局部結構示意圖。

具體實施方式