[實用新型]一種半導體刻蝕設備

有效

• 申請號: 202021909862.3
• 申請日: 2020-09-03
• 公開（公告）號: CN212676226U
• 公開（公告）日: 2021-03-09
• 發明（設計）人: 謝海波;梁玲;張志雄;李剛
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李曉光

1.一種半導體刻蝕設備，其特征在于，所述半導體刻蝕設備包括：至少一個裝卸室和抽氣泵；

所述裝卸室的抽氣口和所述抽氣泵的進氣口通過管道連接；

每一個所述裝卸室和所述抽氣泵之間的管道上分別設置有氣流控制裝置，用于防止氣體反灌至所述裝卸室。

2.根據權利要求1所述的半導體刻蝕設備，其特征在于，所述裝卸室的數量為兩個；

其中一個所述裝卸室的抽氣口與所述管道的第一端口連接，另一個所述裝卸室的抽氣口與所述管道的第二端口連接，所述抽氣泵的進氣口與所述管道的第三端口連接。

3.根據權利要求2所述的半導體刻蝕設備，其特征在于，所述管道為一體化管道；

所述管道的端口數量與所述裝卸室和所述抽氣泵的個數總和相同。

4.根據權利要求1所述的半導體刻蝕設備，其特征在于，所述氣流控制裝置為單向閥。

5.根據權利要求1所述的半導體刻蝕設備，其特征在于，所述抽氣泵為干泵。

6.根據權利要求1所述的半導體刻蝕設備，其特征在于，所述半導體刻蝕設備還包括：

設置在所述裝卸室內的壓力傳感器。

7.根據權利要求6所述的半導體刻蝕設備，其特征在于，所述壓力傳感器為真空壓力傳感器。