[實用新型]大功率可控硅器件

有效

• 申請號: 202021859280.9
• 申請日: 2020-08-31
• 公開（公告）號: CN212934599U
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發明（設計）人: 唐興軍;王亞
• 申請（專利權）人: 蘇州興锝電子有限公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L29/74
• 代理公司: 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 王健

本實用新型公開一種大功率可控硅器件，包括：可控硅芯片、陶瓷絕緣片、陽極電極、陰極電極和柵極電極，所述陶瓷絕緣片開有通孔；可控硅芯片、陶瓷絕緣片、陽極電極的陽極焊接部、陰極電極的陰極焊接部和柵極電極的柵極焊接部位于環氧封裝體內，所述陰極電極的陰極焊接部與可控硅芯片的陰極區通過第一導線連接，所述陽極電極的陽極管腳、陰極電極的陰極管腳和柵極電極的柵極管腳從環氧封裝體內延伸出；所述陶瓷絕緣片從環氧封裝體遠離陽極管腳的端面延伸出的一散熱板，此散熱板上開有一圓孔。本實用新型大功率可控硅器件有利于可控硅芯片的熱量盡快擴散到陶瓷絕緣片上，便于熱量擴散，進一步增強了熱量的水平和垂直方向的擴散，從而延長了器件的使用壽命。

技術領域

本實用新型涉及半導體器件技術領域，尤其涉及一種大功率可控硅器件。

背景技術

可控硅是一種具有三個PN 結的四層結構的大功率半導體器件，亦稱為晶閘管，可控硅整流器件是一種非常重要的功率器件，可用來做高電壓和高電流的控制?？煽毓杵骷饕迷陂_關方面，使器件從關閉或是阻斷的狀態轉換為開啟或是導通的狀態，反之亦然。具有體積小、結構相對簡單、功能強等特點，是比較常用的半導體器件之一。該器件被廣泛應用于各種電子設備和電子產品中，多用來作可控整流、逆變、變頻、調壓、無觸點開關等。

發明內容

本實用新型的目的是提供一種大功率可控硅器件，該大功率可控硅器件有利于可控硅芯片的熱量盡快擴散到陶瓷絕緣片上，便于熱量擴散，進一步增強了熱量的水平和垂直方向的擴散，從而延長了器件的使用壽命。

為達到上述目的，本實用新型采用的技術方案是：一種可控硅，包括：可控硅芯片、陶瓷絕緣片、陽極電極、陰極電極和柵極電極，所述陶瓷絕緣片開有通孔，此通孔內設置有一導電柱，所述可控硅芯片位于陶瓷絕緣片的一表面并覆蓋通孔，此可控硅芯片的陽極區通過一焊膏層與所述導電柱一端電連接，所述陽極電極位于陶瓷絕緣片與可控硅芯片相背的表面，此陽極電極的陽極焊接部與導電柱另一端電連接；

所述可控硅芯片、陶瓷絕緣片、陽極電極的陽極焊接部、陰極電極的陰極焊接部和柵極電極的柵極焊接部位于環氧封裝體內，所述陰極電極的陰極焊接部與可控硅芯片的陰極區通過第一導線連接，所述柵極電極的柵極焊接部與可控硅芯片的柵極區通過第二導線連接，所述陽極電極的陽極管腳、陰極電極的陰極管腳和柵極電極的柵極管腳從環氧封裝體內延伸出；

所述陶瓷絕緣片從環氧封裝體遠離陽極管腳的端面延伸出的一散熱板，此散熱板上開有一圓孔，所述環氧封裝體上表面或者下表面開有至少一個盲孔。

1. 上述方案中，所述陰極電極、柵極電極分別位于陽極電極兩側。

2. 上述方案中，所述陰極電極、柵極電極均位于陶瓷絕緣片的前側。

3. 上述方案中，所述環氧封裝體上表面和下表面均開有至少一個盲孔。

由于上述技術方案的運用，本實用新型與現有技術相比具有下列優點：

1. 本實用新型大功率可控硅器件，其陶瓷絕緣片開有通孔，此通孔內設置有一導電柱，所述可控硅芯片位于陶瓷絕緣片的一表面并覆蓋通孔，此可控硅芯片的陽極區通過一焊膏層與所述導電柱一端電連接，所述陽極電極位于陶瓷絕緣片與可控硅芯片相背的表面，此陽極電極的陽極焊接部與導電柱另一端電連接；大大增加了可控硅芯片與陶瓷絕緣片接觸面積，且直接接觸，既有利于可控硅芯片的熱量盡快擴散到陶瓷絕緣片上，便于熱量擴散，也增加了可控硅芯片與陽極電極的垂直距離，提高了器件電性的可靠性。

2. 本實用新型大功率可控硅器件，其陶瓷絕緣片從環氧封裝體遠離陽極管腳的端面延伸出的一散熱板，此散熱板上開有一圓孔，環氧封裝體上表面或者下表面開有至少一個盲孔，進一步增強了熱量的水平和垂直方向的擴散，從而延長了器件的使用壽命。

附圖說明

附圖1為本實用新型大功率可控硅器件的結構示意圖；