[實用新型]一種DAF膜封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202021828446.0
• 申請日: 2020-08-27
• 公開（公告）號: CN212625542U
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳俊;熊強
• 申請（專利權(quán)）人: 珠海市中芯集成電路有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202
• 代理人: 盧澤明

本實用新型涉及半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種DAF膜封裝結(jié)構(gòu)，包括芯片以及至少一片DAF膜，其中所述DAF膜上相對的兩個表面分別設(shè)置有凹槽，所述凹槽用于放置芯片，并且所述DAF膜上設(shè)置有凹槽的兩個表面均覆蓋有粘膠層；本實用新型在DAF膜的相對兩個表面上分別設(shè)置用于安裝芯片的凹槽，芯片可以通過粘接的方式固定在凹槽中，采用凹槽定位，提升封裝的精度，還便于進(jìn)行后續(xù)的切片操作；并且芯片可以封裝在相鄰的兩片DAF膜之間，兩片DAF膜上的凹槽位置錯位粘接，保證粘接到芯片上的DAF膜厚度，保證相鄰兩片芯片之間的安全絕緣距離。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種DAF膜封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

傳統(tǒng)的半導(dǎo)體功率器件封裝大部分采用軟焊料粘片，一些小功率期間粘片使用高導(dǎo)熱的樹脂膠，芯片大而厚,集成度低，基本均是分立器件，其特點是產(chǎn)品功率大、散熱快,封裝工藝相對簡單，生產(chǎn)效率不高、性能僅滿足大功率、不強調(diào)高集成度、高可靠性的市場。但是隨著應(yīng)用環(huán)境的復(fù)雜度提高,就會暴露出其固有的缺點。但是隨著應(yīng)用環(huán)境的復(fù)雜度提高,就會暴露出其固有的缺點。如，芯片在DAF膜上封裝位置精度差，造成浪費DAF膜原材料的問題，而且不方便后續(xù)的切片操作。

實用新型內(nèi)容

為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實用新型提供了一種DAF膜封裝結(jié)構(gòu)，用于解決現(xiàn)有技術(shù)的浪費DAF膜原材料、不方便后續(xù)切片操作的問題。

本實用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案為：一種DAF膜封裝結(jié)構(gòu)，包括芯片以及至少一片DAF膜，其中所述DAF膜上相對的兩個表面分別設(shè)置有凹槽，所述凹槽用于放置芯片，并且所述DAF膜上設(shè)置有凹槽的兩個表面均覆蓋有粘膠層。

進(jìn)一步地，所述DAF膜采用高導(dǎo)熱樹脂制成。

進(jìn)一步地，所述DAF膜上最薄處的厚度大于等于25μm。

進(jìn)一步地，所述凹槽內(nèi)設(shè)置有用于粘接所述芯片的膠面。

進(jìn)一步地，所述膠面與所述粘膠層采用相同材料制成。

進(jìn)一步地，所述凹槽內(nèi)注入用于粘接所述芯片的膠液。

進(jìn)一步地，所述凹槽上還設(shè)置有延伸至所述DAF膜邊緣的引腳槽。

進(jìn)一步地，所述引腳槽的深度小于所述凹槽的深度。

進(jìn)一步地，位于所述DAF膜上相對兩個表面的所述凹槽錯位設(shè)置。

本實用新型的有益效果有：本實用新型在DAF膜的相對兩個表面上分別設(shè)置用于安裝芯片的凹槽，芯片可以通過粘接的方式固定在凹槽中，采用凹槽定位，提升封裝的精度，還便于進(jìn)行后續(xù)的切片操作；并且芯片可以封裝在相鄰的兩片DAF膜之間，兩片DAF膜上的凹槽位置錯位粘接，保證粘接到芯片上的DAF膜厚度，保證相鄰兩片芯片之間的安全絕緣距離。

附圖說明

本實用新型的上述和/或附加的方面和優(yōu)點從結(jié)合下面附圖對實施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中：

圖1是本實用新型DAF膜封裝結(jié)構(gòu)的其中一個實施例的剖面示意圖；

圖2是本實用新型DAF膜封裝結(jié)構(gòu)的另一個實施例的剖面示意圖；

圖3是本實用新型DAF膜封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)俯視圖。

具體實施方式

為了使本實用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例，對本實用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實施例僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。