[實用新型]一種DAF膜封裝結構

有效

• 申請號: 202021828446.0
• 申請日: 2020-08-27
• 公開（公告）號: CN212625542U
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發明（設計）人: 吳俊;熊強
• 申請（專利權）人: 珠海市中芯集成電路有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 盧澤明

1.一種DAF膜封裝結構，其特征在于，包括芯片(100)以及至少一片DAF膜(200)，其中所述DAF膜(200)上相對的兩個表面分別設置有凹槽(300)，所述凹槽(300)用于放置芯片(100)，并且所述DAF膜(200)上設置有凹槽(300)的兩個表面均覆蓋有粘膠層(400)。

2.根據權利要求1所述的一種DAF膜封裝結構，其特征在于，所述DAF膜(200)采用高導熱樹脂制成。

3.根據權利要求1所述的一種DAF膜封裝結構，其特征在于，所述DAF膜(200)上最薄處的厚度大于等于25μm。

4.根據權利要求1所述的一種DAF膜封裝結構，其特征在于，所述凹槽(300)內設置有用于粘接所述芯片(100)的膠面。

5.根據權利要求4所述的一種DAF膜封裝結構，其特征在于，所述膠面與所述粘膠層(400)采用相同材料制成。

6.根據權利要求1所述的一種DAF膜封裝結構，其特征在于，所述凹槽(300)內注入用于粘接所述芯片(100)的膠液。

7.根據權利要求1所述的一種DAF膜封裝結構，其特征在于，所述凹槽(300)上還設置有延伸至所述DAF膜(200)邊緣的引腳槽(500)。

8.根據權利要求7所述的一種DAF膜封裝結構，其特征在于，所述引腳槽(500)的深度小于所述凹槽(300)的深度。

9.根據權利要求1所述的一種DAF膜封裝結構，其特征在于，位于所述DAF膜(200)上相對兩個表面的所述凹槽(300)錯位設置。