[實用新型]一種拋光結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202021808324.5
• 申請日: 2020-08-26
• 公開（公告）號: CN212762876U
• 公開（公告）日: 2021-03-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 趙晟佑
• 申請（專利權(quán)）人: 西安奕斯偉硅片技術(shù)有限公司
• 主分類號: B24B41/04
• 分類號: B24B41/04
• 代理公司: 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 胡影;李紅標

本實用新型提供一種拋光結(jié)構(gòu)，包括：驅(qū)動軸；連接盤，連接盤的上側(cè)與驅(qū)動軸的下端相連；定盤，定盤的上側(cè)與連接盤的下側(cè)相連；拋光盤，拋光盤設(shè)在定盤的下側(cè)，定盤的下側(cè)與驅(qū)動軸對應(yīng)的區(qū)域形成有圓形凹面，拋光盤上遠離定盤的一側(cè)設(shè)有容納腔以容納拋光墊。本實用新型的拋光結(jié)構(gòu)中，在定盤的下側(cè)與驅(qū)動軸對應(yīng)的區(qū)域形成有圓形凹面，通過圓形凹面能夠減小拋光盤上與驅(qū)動軸對應(yīng)區(qū)域的壓力，使得拋光盤承受的壓力均勻，在拋光硅片時，能夠減小硅片上中央部位的壓力，使得硅片的中央部位與邊緣部位的壓力更加均勻，進而使得硅片的中央部位和邊緣部位研磨的更均勻，提高硅片表面的平坦度，提高硅片的拋光質(zhì)量。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及拋光領(lǐng)域，具體涉及一種拋光結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

在拋光硅片過程中，拋光頭上的拋光墊上被噴上砂漿及化學品，來進行硅片拋光，這時使用的拋光液的微粒子被拋光墊及硅片同時研磨去除，拋光墊的形態(tài)變?yōu)榘纪共黄剑⑶覛堅鄯e在拋光墊上容易產(chǎn)生顆粒污染。如圖1所示，在加工硅片的過程中，為了研磨硅片，驅(qū)動軸1上的壓力給到硅片2的中央部分，硅片2的邊緣部位壓力偏小，硅片2的中央部分與邊緣部分所受的壓力不均勻，導(dǎo)致硅片的中央部位研磨多，邊緣部位研磨少，硅片研磨不均勻，使得硅片的平坦度惡化，影響硅片的拋光質(zhì)量。

實用新型內(nèi)容

有鑒于此，本實用新型提供一種拋光結(jié)構(gòu)，用以解決拋光過程中，硅片的中央部分與邊緣部分所受的壓力不均勻，導(dǎo)致硅片研磨不均勻，使得硅片的平坦度惡化的問題。

為解決上述技術(shù)問題，本實用新型采用以下技術(shù)方案：

根據(jù)本實用新型實施例的拋光結(jié)構(gòu)，包括：

驅(qū)動軸；

連接盤，所述連接盤的上側(cè)與所述驅(qū)動軸的下端相連；

定盤，所述定盤的上側(cè)與所述連接盤的下側(cè)相連；

拋光盤，所述拋光盤設(shè)在所述定盤的下側(cè)，所述定盤的下側(cè)與所述驅(qū)動軸對應(yīng)的區(qū)域形成有圓形凹面，所述拋光盤上遠離所述定盤的一側(cè)設(shè)有容納腔以容納拋光墊。

其中，所述驅(qū)動軸的軸線與所述連接盤的軸線、所述定盤的軸線、所述拋光盤的軸線共線。

其中，所述圓形凹面的軸線與所述定盤的軸線共線。

其中，所述圓形凹面的深度小于或等于7.0um。

其中，還包括：

壓力傳感器，所述壓力傳感器設(shè)置于所述定盤上。

其中，所述壓力傳感器具有多個，多個所述壓力傳感器間隔開設(shè)置于所述定盤上。

其中，所述定盤的上側(cè)設(shè)有多個環(huán)狀區(qū)域，多個所述環(huán)狀區(qū)域的中心重合，每個所述環(huán)狀區(qū)域內(nèi)分別設(shè)有多個沿所述定盤的周向間隔開設(shè)置的所述壓力傳感器。

其中，所述定盤為金屬件。

其中，還包括：

驅(qū)動結(jié)構(gòu)，所述驅(qū)動結(jié)構(gòu)與所述驅(qū)動軸的上端相連以驅(qū)動所述驅(qū)動軸旋轉(zhuǎn)。

其中，還包括：

拋光墊，所述拋光墊設(shè)置于所述容納腔中。

本實用新型的上述技術(shù)方案的有益效果如下：