[實用新型]一種用于芯片金屬封裝罩的強化沸騰處理套件有效
| 申請號： | 202021737216.3 | 申請日： | 2020-08-19 |
| 公開（公告）號： | CN213093197U | 公開（公告）日： | 2021-04-30 |
| 發明（設計）人： | 張鵬;彭晶楠;崔新濤;楊欣華 | 申請（專利權）人： | 曙光數據基礎設施創新技術(北京)股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/373 | 分類號： | H01L23/373;H01L23/367;H01L23/473 |
| 代理公司： | 北京律譜知識產權代理事務所(普通合伙) 11457 | 代理人： | 孫紅穎 |
| 地址： | 100094 北京市海淀*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 芯片 金屬 封裝 強化 沸騰 處理 套件 | ||
1.一種用于芯片金屬封裝罩的強化沸騰處理套件，其特征在于，所述套件包括芯片(1)和芯片金屬封裝罩(2)，所述芯片(1)設置在所述芯片金屬封裝罩(2)的內部，在所述芯片(1)的上方所述芯片金屬封裝罩(2)表面上設有一層多孔金屬覆蓋層，用于強化沸騰換熱。
2.根據權利要求1所述的用于芯片金屬封裝罩的強化沸騰處理套件，其特征在于，所述多孔金屬覆蓋層為銅網結構。
3.根據權利要求2所述的用于芯片金屬封裝罩的強化沸騰處理套件，其特征在于，所述銅網結構由多層銅網(3)及銅片(4)組成。
4.根據權利要求3所述的用于芯片金屬封裝罩的強化沸騰處理套件，其特征在于，多層所述銅網(3)按一定順序疊放于一塊與所述芯片(1)表面大小相同的所述銅片(4)上，多層所述銅網(3)燒結成一體，并燒結在所述銅片(4)上。
5.根據權利要求3所述的用于芯片金屬封裝罩的強化沸騰處理套件，其特征在于，所述銅網結構通過焊接將所述銅片(4)固定在所述芯片金屬封裝罩(2)上表面上，位于所述芯片(1)的正上方。
6.根據權利要求3所述的用于芯片金屬封裝罩的強化沸騰處理套件，其特征在于，多層所述銅網(3)的層厚度小于3mm。
7.根據權利要求2所述的用于芯片金屬封裝罩的強化沸騰處理套件，其特征在于，所述銅網結構的孔隙率為30％～70％。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于曙光數據基礎設施創新技術(北京)股份有限公司，未經曙光數據基礎設施創新技術(北京)股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202021737216.3/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
