[實(shí)用新型]柔性基板承載裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202021730233.4 | 申請(qǐng)日: | 2020-08-18 |
| 公開(公告)號(hào): | CN213401138U | 公開(公告)日: | 2021-06-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 葛沈浩 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 浙江清華柔性電子技術(shù)研究院 |
| 主分類號(hào): | H01L21/683 | 分類號(hào): | H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 王海燕 |
| 地址: | 314006 浙江省*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 柔性 承載 裝置 | ||
1.一種柔性基板承載裝置,其特征在于,包括承載臺(tái),所述承載臺(tái)具有第一通道、通氣孔和連接口,所述通氣孔從所述承載臺(tái)的上表面向下延伸且與所述第一通道連通,所述連接口與所述第一通道連通,所述承載臺(tái)還具有第二通道,所述第二通道與所述第一通道相交且連通,所述承載臺(tái)為多個(gè),多個(gè)所述承載臺(tái)中,相鄰所述承載臺(tái)連接,且相鄰所述承載臺(tái)的第二通道連通,所述連接口設(shè)在至少一個(gè)所述承載臺(tái)上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性基板承載裝置,其特征在于,還包括定位件,所述定位件設(shè)有通孔,所述定位件的一端配合在相鄰所述承載臺(tái)中的一個(gè)所述承載臺(tái)的第二通道內(nèi),所述定位件的另一端配合在相鄰所述承載臺(tái)中的另一個(gè)承載臺(tái)的第二通道內(nèi),相鄰所述承載臺(tái)的第二通道通過(guò)所述通孔連通。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的柔性基板承載裝置,其特征在于,還包括密封件,所述密封件設(shè)在所述定位件的外周面與所述第二通道的內(nèi)壁面之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的柔性基板承載裝置,其特征在于,每個(gè)所述承載臺(tái)還設(shè)有圍繞所述第二通道的凹槽,所述承載臺(tái)包括相對(duì)布置的第一側(cè)面和第二側(cè)面,所述凹槽從所述承載臺(tái)的第一側(cè)面和第二側(cè)面中的至少一個(gè)側(cè)面向內(nèi)凹入,所述密封件配合在所述凹槽內(nèi)且環(huán)繞所述定位件。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性基板承載裝置,其特征在于,每個(gè)所述承載臺(tái)具有貫通所述承載臺(tái)的貫通孔,所述柔性基板承載裝置還包括連接件,所述連接件依次穿過(guò)多個(gè)所述承載臺(tái)的貫通孔以連接多個(gè)所述承載臺(tái)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性基板承載裝置,其特征在于,每個(gè)所述承載臺(tái)中,所述第一通道為多個(gè),多個(gè)所述第一通道間隔布置,所述第二通道與多個(gè)所述第一通道連通,多個(gè)所述第一通道中的至少一個(gè)第一通道與所述連接口連通。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的柔性基板承載裝置,其特征在于,每個(gè)所述承載臺(tái)還包括多個(gè)所述第二通道和多個(gè)第三通道,多個(gè)所述第三通道與多個(gè)所述第二通道交替布置,多個(gè)所述第三通道與所述第一通道連通,且所述第三通道的長(zhǎng)度方向與所述第一通道的長(zhǎng)度方向之間成夾角。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的柔性基板承載裝置,其特征在于,所述通氣孔為多個(gè),多個(gè)所述通氣孔沿所述第一通道的長(zhǎng)度方向間隔布置。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





