[實用新型]一種印章及壓印裝置

有效

• 申請號: 202021696814.0
• 申請日: 2020-08-14
• 公開（公告）號: CN213035515U
• 公開（公告）日: 2021-04-23
• 發明（設計）人: 李衛士;雷玫;徐甜;馮曉甜;李偉龍
• 申請（專利權）人: 華天慧創科技(西安)有限公司
• 主分類號: B41K1/02
• 分類號: B41K1/02;B41K1/38;B41K1/36;G03F7/00
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司 61200
• 代理人: 馬貴香

本實用新型公開了一種印章及壓印裝置，該印章下表面上涂覆的膠層，不再將整個印章的下表面涂覆上膠層，而是采用間隔填充膠層的手段，相隔列填充，或相隔行填充，使得印章在壓印過程中，印章和基底之間沒有過多的膠體，從原材料和壓印的一開始就減少了殘留層的厚度，減少了壓印過程需要克服的膠體存在的阻力，進一步的，大大的減少了大面積壓印時需要克服的分子間阻力以及膠水本身在基板上擴散的阻力。從而實現超薄壓印。

【技術領域】

本實用新型涉及紫外納米壓印領域，具體為一種印章及壓印裝置。

【背景技術】

紫外納米壓印廣泛地應用于圖形轉移的各個領域，實現不同形狀、大小和結構的簡單復制。納米級別的結構不需要復雜和昂貴的光學元件即可實現，成為 TOF、diffuser、lens等光學元器件新型替代作業方式。參見圖1為現有技術中紫外納米壓印技術的實施方法，首先將膠層涂覆在工作印章上，然后將涂覆有膠層的工作印章和基底接觸，完成壓印過程。隨著市場對整體模組厚度越來越薄的要求，硬基板的壓印方式存在殘留層厚度的限制，針對現有半導體8吋及8吋以上的wafer，由于壓印時將殘留層壓印至一定的厚度，需要克服膠水本身分子間力以及流動時受到的阻力，尤其是現有面型膠材料的粘度普遍在200mPa·s(23℃) 以上，如果壓印力超過一定的數值，面型會損傷或變形，所以，在保證壓印力在一定的范圍內的情況下，如何將殘留層的厚度控制在15um以內，已經成為一種挑戰，所以，如何使用透明硬基板的壓印方式，在8吋及8吋以上的wafer上壓印出超薄厚度的面型，就成為了當下需要解決的關鍵問題。

【實用新型內容】

本實用新型的目的在于克服上述現有技術的缺點，提供一種印章及壓印裝置，該裝置用于解決在保證壓印力滿足壓印要求的情況下，降低殘留層的厚度。

為達到上述目的，本實用新型采用以下技術方案予以實現：

一種印章，所述印章的下表面上縱橫排列有若干個面型孔，所述面型孔為向印章內部凹陷的圓弧面；

列的面型孔相隔一列填充有膠體，行的面型孔相隔一行填充有膠體；

填充在面型孔中的膠體有部分溢出。

本實用新型的進一步改進在于：

優選的，所述溢出面型孔的部分膠體為圓形或矩形。

優選的，所述膠體為環氧樹脂類紫外固化膠。

一種壓印裝置，包括上述的印章和基底，印章在基底的上方，基底上有殘留層。

優選的，所述殘留層的厚度為小于15μm。

優選的，所述殘留層的厚度為3-5μm。

優選的，所述殘留層上有陣列的面型。

優選的，面型為凸出的弧面，所述面型的弧度和面型孔相匹配。

優選的，所述基底為玻璃材質。

與現有技術相比，本實用新型具有以下有益效果：

本實用新型公開了一種印章，該印章下表面上涂覆的膠層，不再將整個印章的下表面涂覆上膠層，而是采用間隔填充膠層的手段，相隔列填充，或相隔行填充，使得印章在壓印過程中，印章和基底之間沒有過多的膠體，從原材料和壓印的一開始就減少了殘留層的厚度，減少了壓印過程需要克服的膠體存在的阻力，進一步的，大大的減少了大面積壓印時需要克服的分子間阻力以及膠水本身在基板上擴散的阻力。從而實現超薄壓印。

進一步的，膠體在面型孔外部之間的部分為矩形或圓形，使得膠體能夠均勻的向兩邊擴算，彌補兩邊沒有填充膠體的面型孔。

進一步的，膠體為環氧樹脂類紫外固化膠，滿足紫外固化的需求。