[實用新型]一種晶圓片高溫處理用承載裝置有效
| 申請號: | 202021696677.0 | 申請日: | 2020-08-14 |
| 公開(公告)號: | CN212874439U | 公開(公告)日: | 2021-04-02 |
| 發明(設計)人: | 李睿;楊強;王淼;馬飛 | 申請(專利權)人: | 內蒙古中環領先半導體材料有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司: | 天津諾德知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人: | 欒志超 |
| 地址: | 010070 內蒙古自*** | 國省代碼: | 內蒙古;15 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 晶圓片 高溫 處理 承載 裝置 | ||
本實用新型提供一種晶圓片高溫處理用承載裝置,具有兩相對設置的端板,在兩所述端板之間至少設有兩組間隔設置的支桿一和支桿二,所述支桿一置于所述端板下段部,所述支桿二位于所述支桿一的上方;兩個所述支桿一之間的寬度小于兩個所述支桿二之間的寬度,且兩個所述支桿二之間的寬度小于或等于最大徑晶圓片的直徑;兩個所述支桿一與最小徑所述晶圓片圓心的夾角不大于45°。本實用新型提出的承載裝置,適用于各種規格晶圓片熱處理時的放置,結構設計合理,操作方便,整體水平放置穩定,不僅可提高承載裝置的強度,使得其水平移動更穩定,延長使用壽命。
技術領域
本實用新型屬于單晶硅片熱處理設備技術領域,尤其是涉及一種晶圓片高溫處理用承載裝置。
背景技術
晶圓片在成品出廠前,需要進行退火或熱氧化等熱處理操作,放置晶圓片的承載裝置是保證其熱處理后晶圓片參數是否正確的主要因素之一。而當前晶圓片在退火或者熱氧化處理時,承載晶圓片的裝置有多個規格尺寸,結構不統一,每個承載裝置只能對應某一尺寸的晶圓片,且承載裝置在放置進熱處理爐時不易操作。同時,由于結構設計不合理,導致多個晶圓片同時放置時,重力受力不穩定,出現傾斜,容易損壞;在受到長時間熱處理時容易變形,使得承載裝置使用壽命降低,需要經常更換,導致生產成本高。
實用新型內容
本實用新型提供一種晶圓片高溫處理用承載裝置,尤其是適用于晶圓片熱處理爐,解決了現有技術中承載裝置結構設計不合理,導致其規格不統一、影響晶圓片熱處理質量、且使用壽命短的技術問題。
為解決上述技術問題,本實用新型采用的技術方案是:
一種晶圓片高溫處理用承載裝置,具有兩相對設置的端板,在兩所述端板之間至少設有兩組間隔設置的支桿一和支桿二,所述支桿一置于所述端板下段部,所述支桿二位于所述支桿一的上方;兩個所述支桿一之間的寬度小于兩個所述支桿二之間的寬度,且兩個所述支桿二之間的寬度小于或等于最大徑晶圓片的直徑;兩個所述支桿一與最小徑所述晶圓片圓心的夾角不大于45°。
進一步的,兩個所述支桿二之間的寬度等于最大徑所述晶圓片的直徑;且兩個所述支桿一與最小徑所述晶圓片圓心的夾角為30°。
進一步的,還包括置于所述支桿一和所述支桿二之間的兩個支桿三,兩個所述支桿一、兩個所述支桿二、兩個所述支桿三與所述端板的連接點構成弧形結構,所述弧形與最大徑所述晶圓片同心設置。
進一步的,兩個所述支桿三之間的寬度大于兩個所述支桿二之間寬度的1/2且小于兩個所述支桿二之間寬度的4/5。
進一步的,所述支桿一、所述支桿二和所述支桿三均為圓柱型結構,且其靠近所述晶圓片一側設有若干與所述晶圓片相適配的卡槽。
進一步的,兩個所述端板結構相同;所述端板下端面為平整面,設有若干組開口朝外且對稱設置的凹槽;所述凹槽深度低于所述支桿一的位置高度。
進一步的,所述端板下端面的兩側均設有倒角,所述倒角高度高于所述支桿一的高度且小于所述支桿三的高度。
進一步的,其中一個所述端板遠離所述支桿一側面設有把手,所述把手與所述端板垂直或傾斜設置。
進一步的,所述把手置于所述端板上段部且靠近高度方向的中間一側設置;所述把手為圓弧結構或L型結構。
進一步的,所述晶圓片最大直徑為320mm,最小直徑為200mm。
與現有技術相比,采用本實用新型提出的承載裝置,適用于各種規格晶圓片熱處理時的放置,結構設計合理,操作方便,整體水平放置穩定,不僅可提高承載裝置的強度,使得其水平移動更穩定;增加把手,便于人員操作,提高承載裝置的使用壽命,保證晶圓片的熱處理后的產品質量,降低生產成本。
附圖說明
圖1是本實用新型一實施例的承載裝置的側視圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





