[實用新型]一種晶圓片高溫處理用承載裝置有效
| 申請號: | 202021696677.0 | 申請日: | 2020-08-14 |
| 公開(公告)號: | CN212874439U | 公開(公告)日: | 2021-04-02 |
| 發明(設計)人: | 李睿;楊強;王淼;馬飛 | 申請(專利權)人: | 內蒙古中環領先半導體材料有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司: | 天津諾德知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人: | 欒志超 |
| 地址: | 010070 內蒙古自*** | 國省代碼: | 內蒙古;15 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 晶圓片 高溫 處理 承載 裝置 | ||
1.一種晶圓片高溫處理用承載裝置,其特征在于,具有兩相對設置的端板,在兩所述端板之間至少設有兩組間隔設置的支桿一和支桿二,所述支桿一置于所述端板下段部,所述支桿二位于所述支桿一的上方;兩個所述支桿一之間的寬度小于兩個所述支桿二之間的寬度,且兩個所述支桿二之間的寬度小于或等于最大徑晶圓片的直徑;兩個所述支桿一與最小徑所述晶圓片圓心的夾角不大于45°。
2.根據權利要求1所述的一種晶圓片高溫處理用承載裝置,其特征在于,兩個所述支桿二之間的寬度等于最大徑所述晶圓片的直徑;且兩個所述支桿一與最小徑所述晶圓片圓心的夾角為30°。
3.根據權利要求1或2所述的一種晶圓片高溫處理用承載裝置,其特征在于,還包括置于所述支桿一和所述支桿二之間的兩個支桿三,兩個所述支桿一、兩個所述支桿二、兩個所述支桿三與所述端板的連接點構成弧形結構,所述弧形與最大徑所述晶圓片同心設置。
4.根據權利要求3所述的一種晶圓片高溫處理用承載裝置,其特征在于,兩個所述支桿三之間的寬度大于兩個所述支桿二之間寬度的1/2且小于兩個所述支桿二之間寬度的4/5。
5.根據權利要求4所述的一種晶圓片高溫處理用承載裝置,其特征在于,所述支桿一、所述支桿二和所述支桿三均為圓柱型結構,且其靠近所述晶圓片一側設有若干與所述晶圓片相適配的卡槽。
6.根據權利要求4-5任一項所述的一種晶圓片高溫處理用承載裝置,其特征在于,兩個所述端板結構相同;所述端板下端面為平整面,設有若干組開口朝外且對稱設置的凹槽;所述凹槽深度低于所述支桿一的位置高度。
7.根據權利要求6所述的一種晶圓片高溫處理用承載裝置,其特征在于,所述端板下端面的兩側均設有倒角,所述倒角高度高于所述支桿一的高度且小于所述支桿三的高度。
8.根據權利要求1-2、4-5、7任一項所述的一種晶圓片高溫處理用承載裝置,其特征在于,其中一個所述端板遠離所述支桿一側面設有把手,所述把手與所述端板垂直或傾斜設置。
9.根據權利要求8所述的一種晶圓片高溫處理用承載裝置,其特征在于,所述把手置于所述端板上段部且靠近高度方向的中間一側設置;所述把手為圓弧結構或L型結構。
10.根據權利要求1-2、4-5、7、9任一項所述的一種晶圓片高溫處理用承載裝置,其特征在于,所述晶圓片最大直徑為320mm,最小直徑為200mm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





