[實用新型]具有高吸附性的晶片加熱用吸附式治具有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202021675701.2 | 申請日: | 2020-08-12 |
| 公開(公告)號: | CN212848345U | 公開(公告)日: | 2021-03-30 |
| 發(fā)明(設計)人: | 賴奕誠;賴奕儒 | 申請(專利權)人: | 宸榤精機股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京泰吉知識產(chǎn)權代理有限公司 11355 | 代理人: | 史瞳;顧以中 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 吸附性 晶片 加熱 吸附 式治具 | ||
一種具有高吸附性的晶片加熱用吸附式治具,包含包括形成有容置槽的座頂面與座底面的底座、設置于所述底座并包括蓋頂面與蓋底面的頂蓋,及設置于所述底座與所述頂蓋之間的彈性墊。所述座頂面具有形成有數(shù)個延伸至所述座底面并與所述容置槽連通的第一穿孔的槽底面部。所述頂蓋形成有數(shù)個第二穿孔。所述彈性墊包括位于所述容置槽內(nèi)的墊部,及數(shù)個設置于所述墊部的吸附部,所述墊部具有墊頂面及墊底面,所述吸附部從所述墊頂面朝上延伸并分別穿出所述第二穿孔,每一吸附部具有高于所述蓋頂面的吸附頂端,所述彈性墊形成有數(shù)個從所述吸附部的吸附頂端延伸至所述墊底面的連通孔,所述連通孔分別對應于且連通于所述第一穿孔。
技術領域
本實用新型涉及一種吸附式治具,特別是涉及一種具有高吸附性的晶片加熱用吸附式治具。
背景技術
如圖1所示,現(xiàn)有一種晶片加熱用的吸附式治具1,包括一頂面101、一底面102,及數(shù)個從該頂面101延伸至該底面102的抽氣孔103,該頂面101可供數(shù)個晶片2擺置,該吸附式治具1是擺置于一烘干工作站的一加熱基座(圖未示)上,并與一抽氣裝置(圖未示)連接。
一般而言,當晶圓在一切割工作站的一切割用治具(圖未示)上被切割成所述晶片2之后,可利用一搬運治具(圖未示)將所述晶片2吸附并搬運至位于該烘干工作站的吸附式治具1上,此后,即可借由該抽氣裝置對所述抽氣孔103抽氣,而將所述晶片2吸附在該頂面101上,如此,該加熱基座即可通過該吸附式治具1對所述晶片2進行加熱,同時,該烘干工作站的一風刀裝置(圖未示)也可對所述晶片2吹風,借以將所述晶片2上所沾附的切削液快速地烘干,然而,此種吸附式治具1在實際使用上卻具有以下的缺失:
一、由于該吸附式治具1的材質(zhì)是硬質(zhì)的金屬,且所述晶片2也是硬質(zhì)的半導體材質(zhì),因此,該頂面101與所述晶片2的底面之間的接觸密合性并不佳,在該抽氣裝置對所述抽氣孔103抽氣的過程中,往往會發(fā)生漏氣的情形,造成該吸附式治具1對所述晶片2的吸附性不佳。
二、由于該吸附式治具1對所述晶片2的吸力不足,因此,當該烘干工作站的風刀裝置對所述晶片2吹風時,部分的晶片2往往會從該吸附式治具1上被吹落,而造成毀損。
三、由于該吸附式治具1對所述晶片2的吸力不足,因此,在該搬運治具要將沾附有切削液的所述晶片2轉(zhuǎn)移至該吸附式治具1上的過程中,部分的晶片2往往會黏附在該搬運治具的底面上,而無法確實地脫開該搬運治具的底面,造成所述晶片2無法全部一次性地轉(zhuǎn)移至該吸附式治具1上。
發(fā)明內(nèi)容
因此,本實用新型的目的在于提供一種能夠克服先前技術的至少一個缺點的具有高吸附性的晶片加熱用吸附式治具。
于是,本實用新型具有高吸附性的晶片加熱用吸附式治具,包含底座、頂蓋及彈性墊。
所述底座包括形成有容置槽的座頂面,及座底面,所述座頂面具有界定出所述容置槽的底側(cè)的槽底面部,所述槽底面部形成有數(shù)個延伸至所述座底面并與所述容置槽連通的第一穿孔。
所述頂蓋設置于所述底座,并包括蓋頂面,及與所述座頂面抵接的蓋底面,所述頂蓋形成有數(shù)個從所述蓋頂面延伸至所述蓋底面并分別對應于所述第一穿孔的第二穿孔。
所述彈性墊設置于所述底座與所述頂蓋之間,并包括位于所述容置槽內(nèi)的墊部,及數(shù)個間隔地設置于所述墊部并分別對應所述第二穿孔的吸附部,所述墊部具有墊頂面,及墊底面,所述吸附部從所述墊頂面朝上延伸并分別穿出所述第二穿孔,每一吸附部具有高于所述蓋頂面的吸附頂端,所述彈性墊形成有數(shù)個從所述吸附部的吸附頂端延伸至所述墊底面的連通孔,所述連通孔分別對應于所述第一穿孔,并分別與所述第一穿孔連通。
本實用新型具有高吸附性的晶片加熱用吸附式治具,所述彈性墊的材質(zhì)是橡膠。
本實用新型具有高吸附性的晶片加熱用吸附式治具,所述彈性墊的每一吸附部的吸附頂端在高度方向上高出所述頂蓋的蓋頂面的高度不小于1mm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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