[實(shí)用新型]具有高吸附性的晶片加熱用吸附式治具有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202021675701.2 | 申請(qǐng)日: | 2020-08-12 |
| 公開(公告)號(hào): | CN212848345U | 公開(公告)日: | 2021-03-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 賴奕誠(chéng);賴奕儒 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 宸榤精機(jī)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/683 | 分類號(hào): | H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京泰吉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11355 | 代理人: | 史瞳;顧以中 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 吸附性 晶片 加熱 吸附 式治具 | ||
1.一種具有高吸附性的晶片加熱用吸附式治具,包含底座,其特征在于:
所述具有高吸附性的晶片加熱用吸附式治具還包含頂蓋及彈性墊;
所述底座,包括形成有容置槽的座頂面,及座底面,所述座頂面具有界定出所述容置槽的底側(cè)的槽底面部,所述槽底面部形成有數(shù)個(gè)延伸至所述座底面并與所述容置槽連通的第一穿孔;
所述頂蓋,設(shè)置于所述底座,并包括蓋頂面,及與所述座頂面抵接的蓋底面,所述頂蓋形成有數(shù)個(gè)從所述蓋頂面延伸至所述蓋底面并分別對(duì)應(yīng)于所述第一穿孔的第二穿孔;及
所述彈性墊,設(shè)置于所述底座與所述頂蓋之間,并包括位于所述容置槽內(nèi)的墊部,及數(shù)個(gè)間隔地設(shè)置于所述墊部并分別對(duì)應(yīng)所述第二穿孔的吸附部,所述墊部具有墊頂面,及墊底面,所述吸附部從所述墊頂面朝上延伸并分別穿出所述第二穿孔,每一吸附部具有高于所述蓋頂面的吸附頂端,所述彈性墊形成有數(shù)個(gè)從所述吸附部的吸附頂端延伸至所述墊底面的連通孔,所述連通孔分別對(duì)應(yīng)于所述第一穿孔,并分別與所述第一穿孔連通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有高吸附性的晶片加熱用吸附式治具,其特征在于:所述彈性墊的材質(zhì)是橡膠。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有高吸附性的晶片加熱用吸附式治具,其特征在于:所述彈性墊的每一吸附部的吸附頂端在高度方向上高出所述頂蓋的蓋頂面的高度不小于1mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有高吸附性的晶片加熱用吸附式治具,其特征在于:所述頂蓋的每一第二穿孔的橫截面形狀是呈非圓形,所述彈性墊的每一吸附部的橫截面的外輪廓形狀是對(duì)應(yīng)于所述頂蓋的第二穿孔中相應(yīng)的一個(gè)的橫截面形狀。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有高吸附性的晶片加熱用吸附式治具,其特征在于:所述底座的第一穿孔是呈陣列式排列,所述頂蓋的第二穿孔是呈陣列式排列,所述彈性墊的吸附部是呈陣列式排列。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有高吸附性的晶片加熱用吸附式治具,其特征在于:所述頂蓋能拆卸地設(shè)置于所述底座,所述彈性墊能拆卸地設(shè)置于所述底座與所述頂蓋之間。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





